面试奇遇，请大家热烈讨论RF三题，回帖超过二十贴，揭晓答案。

yellowtoot

<P>答案呢???</P><P>哪家公司呀??</P><P>你又在哪里高就啊??这么强的人,还跳做甚??</P>

hehehaha

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>yellowtoot</I>在2005-11-22 13:17:41的发言：</B>

<P>答案呢???</P>
<P>哪家公司呀??</P>
<P>你又在哪里高就啊??这么强的人,还跳做甚??</P></DIV>


我是在上海市的，一家也算是比较大型的手机生产厂商工作了四年有余，公司也曾经火过一段时间，不过现在面临倒闭的危险。
我去面试的是一家做TD-SCDMA的芯片的。在莘庄，大家是不是都猜到了，上海也就二家在做TD。
本来我是怀着敬仰的心情进去面试的，毕竟我以前只专注于手机RF的应用，而现在要去的是TD-SCDMA RF的开发，去了之后带给我的只有失望。
此公司现在四个RF人员，面试的时候接触了二人。其中一个RF经理，态度不错，交谈的也挺愉快。另外就是与在技术上面有巨大缝隙的那位，本来在做为R&D，争论是正常的，但是他只要认为是对的，我所说的一切，在他看来，都是不可理解的，甚至觉的我非常之可笑。还有一位以前是我们公司过去的，也知道一些他的根底。
TD-SCDMA，国家对它的期望值非常高，但是我接触下来，此次下来，给我的感觉，就是国内的技术含量还是低，简单的抄袭加应用。
发此贴，主要是与各位坛友共勉：不要太拘泥于书本上的东西，你要真正理解它，才能做出优秀的作品来。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

hehehaha

发此贴，主要是与各位坛友共勉：不要太拘泥于书本上的东西，你要真正理解它，才能做出优秀的作品来。

caesarbbde

<P>是莘庄的D公司和C公司吧？</P><P>C公司的射频的确不怎么样，因为都是拿TI WCDMA方案改过来的，而且以前比较牛的几个人也跳到A公司了。</P><P>其实上海不止两家做手机射频方案的，楼主可以去H,S,A,D等公司看看</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

hehehaha

<P>楼上正解。</P><P>补允一下，实际上他们用的是TI OMAP为基础上做的。听一些朋友讲，OMAP的耗电很是厉害，是一个巨大的瓶颈。</P><P>关于我所提的三题，到目前为止还是有很多异议，请大家踊跃发言，共同讨论啊。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

hehehaha

<P>在此贴讨论中，yellowtooth表现最为活跃，请问老弟，你通过此贴，是否能基本同意我的一些观点，或者还有不同意见？请赐教。</P><P>为什么我一回贴，人都不见了呢？</P>

lll

难道是迪比特和凯明信息？

RF110

<P>厉害啊,看到了n大的差距,看来我要走的路还非常的长.</P><P>顺便问一句:RFMD的PA是电压反馈的,源通的好象是功率反馈吧?</P><P>不知对否?</P><P>还有,hehehaha的"不能太离谱"注释注明了Pout不变的前提是非常必要的,不然估计"不变"就不成立了.</P>

wishiloveu

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>不要命的男人</I>在2005-11-21 9:42:28的发言：</B>



可以在屏蔽罩上开一个小口的啊</DIV>


我想问一下关于这个的问题。。
yellowtoot说PA的输出不可能走表层，因为有屏蔽罩？ 为什么啊？
我觉得有屏蔽罩也没关系把，会导致什么问题呢？
我们有的机器也都是走表面，似乎没遇到太大的麻烦。。
但的确有的机器是在屏蔽罩上开了小口。
但是几款在屏蔽罩上开小口了，就有可能导致屏蔽效果变差，EMC就会出问题
那么有没有什么理论或者实践上的经验说说这个口怎么开，开多大呢？

hehehaha

<P>楼上的，PA输出到ASW或FEM最好是要走在表层。</P><P>但是ASW/FEM 到 TESTPORT的话，如果距离较短，且有条件可以走在表层，可以走在TOP层。</P><P>长的话尽量在内层，带状线会比传输线会细很多，注意挖层。</P><P>屏蔽罩，只需要将它底座稍微削掉一点就可以了，保证微带线能走过去即可。</P><P>谈到屏蔽罩上的开孔，大部RF人员认为主要是为了散热，实际最主要是为SMD打件所需，因此在重要的一些RF芯片如TC，ASW，PA的四个角上，或边上务必加上孔。确保SMD没有问题。</P>

hehehaha

补充一下，对于PA输出在大功率传输线，铺地的务必将clear 设的大一点，最小要12MIL，以上。

yhyt

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>hehehaha</I>在2005-11-22 11:06:07的发言：</B>

<P></P>
<P>第一题：根据此图，实际很好的说明了我的意思，输出功率与APC/RAMP，存在相对关系，而与输入功率（当然也不能太离谱）没有存在必然关系。</P>
<P>据我所知，现在的主流PA的功率有三种控制方法，A：功率反馈，B：电流反馈，C：集电极控制，以前的PA是不带功率反馈， 首先大家要有一个概念，即现在主流的PA都为自动负反馈系统。了解了这一点，也就是说，PA的输入功率的变动，对一个自动负反馈系统来讲只是一个扰动而已，影响输入功率只有APC，  一个好的PA，温度及VBAT，等等對PA的输出功率的变化应该是很小的。</P>
<P>说的不对，大家来拍砖啊，呵呵。</P>

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>



这样说来，校准的时候实际是对PA出来到FEM,这段损耗的补偿了。因为PA的输出，只要APC为某一值，输出功率就对应了。
本人愚钝，不知道有没有理解对，高人指点。

RF110

<P>"谈到屏蔽罩上的开孔，大部RF人员认为主要是为了散热，实际最主要是为SMD打件所需，因此在重要的一些RF芯片如TC，ASW，PA的四个角上，或边上务必加上孔。确保SMD没有问题。"</P><P>这点我个人认为还是散热的需要.</P><P>"yellowtoot说PA的输出不可能走表层，因为有屏蔽罩？ 为什么啊？"</P><P>记得电磁干扰好象有"传导"和"辐射"之分,具体哪个是用屏蔽反射削弱,哪个是通过屏蔽介质被衰弱,记不大清楚了.</P><P>不知对否</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

drizzt

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>yellowtoot</I>在2005-11-19 21:02:11的发言：</B>
偶刚进手机行业,应该算是理论派,所以说的不到之处,还请大家海函啊.[em12]
1、分两种情况：

      A、PA工作在线性区时，GSM PA 输入为3 dbm时，输出为20dbm，那当输入为0dbm时，输出应该相应降低3dB啊，即17dBm；

     B、PA工作在饱和区时，输入降低时，输出可能不变。

     总之，不会升高3dB啊！！

    不知各位大侠说不变的的意思是为什么啊？ 难道是PA的功率控制起作用时，它的输出功率不变？？？
[em13]

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>



GSM PA自然会工作在饱和区，拿RFMD PA来看的话，功率大小完全由HBT供电大小来决定，所以不会产生输入功率变化一点而输出功率变化的问题。不过为啥那个经理会觉得不对，可能他考虑到了，CDMA PA的问题，GSM是恒包络的，所以不必工作在线性区；而CDMA就不同了，信号幅度也代表着信息，所以其PA是完全线性的。而且在WCDMA中手机的功率控制正是由PA的输入信号大小变化来实现的。其PA有两种模式：高增益、低增益。[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

drizzt

输入降低过多的话，GSM PA会由于偏置的减小，而离开饱和区。大家可以试验一下，在那时再加大PA前衰减会是什么效果。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

hehehaha

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>drizzt</I>在2005-11-23 10:19:26的发言：</B>




GSM PA自然会工作在饱和区，拿RFMD PA来看的话，功率大小完全由HBT供电大小来决定，所以不会产生输入功率变化一点而输出功率变化的问题。不过为啥那个经理会觉得不对，可能他考虑到了，CDMA PA的问题，GSM是恒包络的，所以不必工作在线性区；而CDMA就不同了，信号幅度也代表着信息，所以其PA是完全线性的。而且在WCDMA中手机的功率控制正是由PA的输入信号大小变化来实现的。其PA有两种模式：高增益、低增益。</DIV>



楼上的说到我心坎上了，GSM为AB或C类功放，而CDMA为A类

hehehaha

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>RF110</I>在2005-11-23 10:09:28的发言：</B>

<P>"谈到屏蔽罩上的开孔，大部RF人员认为主要是为了散热，实际最主要是为SMD打件所需，因此在重要的一些RF芯片如TC，ASW，PA的四个角上，或边上务必加上孔。确保SMD没有问题。"</P>
<P>这点我个人认为还是散热的需要.</P>
<P>"yellowtoot说PA的输出不可能走表层，因为有屏蔽罩？ 为什么啊？"</P>
<P>记得电磁干扰好象有"传导"和"辐射"之分,具体哪个是用屏蔽反射削弱,哪个是通过屏蔽介质被衰弱,记不大清楚了.</P>
<P>不知对否</P></DIV>



继续讨论：
   如果你的shieldcase（二件式）是SMD打完件后，才盖上去的话，实际上不需要打孔，有脱裤子放屁嫌疑。

RFfans

<P><b>有几位21RF的网友的回复，帮大家转贴过来一起讨论</b></P>
<P><b>Mengjy的回复</b></P>
<P>我也来说两句，
第一个问题，这个很明显，搂住是对的。GSM不管是压控，流控，还是功率控制，目的就在这里。对于CDMA 和3G PA,他们是线性PA, 增益是一定的，一般有两个增益模式，高增益，低增益。

第二个问题，我想Design house 考虑得很少了，一般射频，微波电路都不推荐这样做。信号完整性考虑得多。

第三个问题，

第四个问题， 现在design house一般都是二手仪器，而且很少做Calibration的，所以误差是有的。</P>
<P>
<HR>
</P>
<P><b>rfmixer的回复</b></P>
<P>问题一、当GSM PA 输入为3 dbm时，输出为20dbm，当输入为0dbm时，此时输出会有变化吗？

GSM PA的输入在0-6dBm范围内的时候，输出几乎不会随输入变化！

问题二、当微带线与带状线用过孔连接时，此过孔需要注意一些什么东西？
这一点，需要说明工作频率，搂主把问题想得有些简单

问题三、如何对PA进行更有效率的功率校正，

实际上就是APC的值怎么和输出功率对应，RFMD有单点校准


你说的那个公司是和你们公司在一个院子里吧，这两个公司我都去过
作w/td/CDMA的思路和GSM不同这恐怕就是思路上的差异吧</P>
<P>
<HR>
</P>
<P><b>easychen的回复</b></P>
<P>问题二、当微带线与带状线用过孔连接时，此过孔需要注意一些什么东西？
我认为不太需要注意此过孔的尺寸，而他坚持这个很重要。各位看官有的也看不懂了吧，过孔如果不是50OHM的话，不是不匹配了吗？但是你有没有注意过孔的长度是多少呢？最多高0.8 mm。各位看官，手上有SMITH Chart 的当场演示一下，就知道影响有没有了？假设过孔的特性阻抗为150ohm。但是，考官笑的更灿烂了：这家伙肯定是水货！这种人如何能进我们公司呢！
我与他强调，什么是传输线：与波长相比拟的时候才是传输线。0.8mm能与波长相比拟吗？事实用smith chart模拟也是如此。

我来说说问题二吧:
曾做过微带到带状线过孔的HFSS仿真,仿真的结果是在低频段的1-2GHZ,不必考虑过孔产生的不连续性和寄生效应.但到5-6个GHz就必须考虑.到10GHz产生的不连续性很大,必须进行设计考虑。有过孔的地方必须接地良好,不良好的话在1-2GHz的不连续性也会很明显.
过孔有寄生的电感和电容,这个公式网上有很多文章介绍.
至于过孔的特性阻抗,计算这个比较复杂,要计算过空的电磁场分布.</P>

RF110

[em14][em14][em14][em14][em14][em14]

hehehaha

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>hehehaha</I>在2005-11-18 16:58:54的发言：</B>

<P>.....................................................另外这几天无聊，做了一个MTK的RF 自动校正的工具，比META比起来简单多了，因为我们公司也不做MTK，想找一些人做一下测试，想要的举一下手啊，不吝赐教，呵呵。</P>
<P><FONT color=#f73809>你发错区了，这里是 </FONT><a href="http://www.52rd.com/bbs/forumdisplay.php?fid=30" target="_blank" ><FONT color=#f73809>射频微波资料交换区</FONT></A><FONT color=#f73809>，你应该发到手机射频讨论区，我帮你转过去</FONT></P>
</DIV>


仅供测试，因为我试的也不是很多，毕竟我也不是做这方案的，只是稍微了解一下。


简介:
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