充电控制电路的PMOS管作用？

aquasnake

以下是引用smalld810在2007-12-28 13:23:00的发言：
这是TI平台充电电路的参考设计图，确实是用back2back的dual P-mosfet做的[upload=jpg]UploadFile/2007-12/071228@52RD_ppp.JPG[/upload]

这个图就是我所说的逻辑很好，但是对于低供耗手持设备很不合适的方案的二极管改进MOS版

VBAT出来要经过一个MOSFET的压降才能供应其他回路，如RF PA，如Audio Amplifier,如DC/DC，如LDO

此电路电池校准可能不准，充电控制也会丧失少许精度，最主要的，是待机时间的减少，电池利用率变低


如果是直接从VBAT供应RF PA与其他LDO，那么我看不出第2个MOS的作用在哪里？一旦ICTLAC2拉低，还有从VBAT泄露电流的隐患

wufengnokia

分析的非常有道理

hellohumin

这个电路设计得很巧妙，之前我一直想拿双p-mos来替代目前的p-mos+肖特基 充电方案，但由于mtk pmu的vgate脚默认输出低电平，造成开机状态下两个p-mos一直导通，有漏电流现象存在。目前这个方案可以解决这个问题。

至于为什么要用双p-mos来替代目前的p-mos+肖特基 充电方案，是因为肖特基的导通压降会比p-mos大很多，所以在大充电电流的情况下，充电电压会不饱和，同时发热也很大！

jamesbond

重剑无锋，大巧不工

电路是简单最好.过分复杂就不是巧了.

第一重境界,是不敢改电路,没自信.

第二重境界,是改电路,没自信.

第三重境界,是不改电路,有自信.

第四重境界,是改电路,有自信

第五重境界,改与不改皆自信,草木为剑,大道无形

banyan

是一个控制充电一个控制放电吧，跟有些电池内部的控制电路相似。

meteor_2000

以下是引用goodmdx在2006-7-11 17:46:00的发言：



在我印象中，pmos似乎应该是low时候导通吧？是我记错 了？

我见过一种双电池的方案，在主负电池通往系统VBAT时都穿接一个这样的MOS，因为它是双向的，既可以由主负电池轮流切换供电给系统VBAT，也可以由Vcharge通过系统VBAT充电给主负电池，很有用的

LINX

以下是引用zhangsheep在2008-5-8 20:17:00的发言：
在充电的时候，上面的那个pmos导通，此时第二个pmos的Vds>0吧，电流就只能从其寄生二极管通过，这样的话也会产生一个压降吧，难道和直接用PMOS+二极管区别大么？

看了那么多，还是不怎么明白，还和楼上同疑问。
PMOS管不管工作在饱和区还是可调电阻区，都应该是Vds<0吧？
[em13]

luowei01051145

以下是引用xingerzh在2006-7-10 11:35:00的发言：
应该不是吧,那样的话下面那个mos管用二极管就可以了啊，我接触的手机充电电路基本都是一个MOS管+一个二极管的方式。从你的图上来看，用两个MOS管应该是增强了充电电流控制的能力，ICTLUSB1、ICTLUSB2都可以进行控制。
<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

用二极管压降太大了，压降太大可能在充电时提前进入恒压充电，增加了充电时间.

woxin

以下是引用capacitance在2006-10-28 21:06:00的发言：



画的绝对没问题。下面的确实是一直导通的。还有个理由可能是MOS的反向导通压降只有十几个mV，二极管怎么也有0.2-0.3V。选择个方案的电路很大一个可能原因是因为用的充电器输出电压比较低，可能只有4.3-4.5V，如果在二极管上降个0.2-0.3V，就可能充不满电了。而且，MOS的关断能力要比二极管强。
<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

samsonyue

做个机会，，

syr123456

允许充电时，两个控制信号都拉低，电流从pin3->pin5，并由于二极管效应，->pin1，进入电池
     回复：pin5进入pin1正是由于下面的pmos起作用，才可以实现