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发表于 2006-7-14 10:58:00
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浪费
不过这个充电MOS的设计现在有2种思路
一个是Vcharge---->Vbat从MOS S-D导通作充电,系统供电由Vbat经过MOS的D-S二极管提供(也就是充电情况下的Vcharge节点).缺点是当中经过一个二极管,损失少许压降.电池效率(使用时间)降低,电池校准有少许偏差.优点是系统不加电池只接充电器也可工作
另一个是Vcharge---->Vbat从MOS S-D导通.系统供电有Vbat直接提供.优点是电池容易校准,电池使用效率高.缺点是不加电池接充电器系统电流不够(MOS的充电回路在不加电池的情况下不足以提供额外大电流长时间连续导通)而开机不能.但是这个缺点也不是致命,可以通过在VBAT并联大电解电容来增大电池缺失情况下的电荷储备,电解电容的选择以不加电池能使开机保持即可(通常如果是做多媒体手机要放很大的电解电容)
以上2种思路,做手持系统,要求电池效率高的情况下,建议后者;前者不大适合有SPEAKER输出的系统(损失0.3~0.5V压降对于3.7V系统PA效率降低是很可观的,而且系统到2.8V就关机,实际上要+0.3~0.5V的修正偏差,其实电池在3.2V左右就已经被PMU关机了,电池的容量实际还保存了保守估计的1/5,待机时间至少减少1/5!!!这个不能忍受)
而象楼主这样的用双MOS的CHARGE电路.我承认还是第一次见[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p> |
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