充电控制电路的PMOS管作用？

aquasnake

charge mos通常采用功率P-MOS,这个RD没有疑义.一般是用ON或者Vishay.这个Sourcing更不敢有意见.
对于后面串接的二极管(所以器件商都想好了,P-MOS+shottkey diode封装在一起了,省得一些公司采购矫情),也没有"不同的声音",不过额外的双MOS搭建的独立电源切换系统,基本就是垃圾,是低供耗设计的最严重的BUG!
具体见本人另外一篇回复: http://www.52rd.com/bbs/viewthread.php?tid=44868

回复之二: http://www.52rd.com/bbs/viewthread.php?tid=73162

BTW,对于技术的深入,我已不再有任何自发的动力,没有钱图,更得不到尊严. which is just a worm of technical operator, a set of machine, a temp of tool, a nut of nonsence, a piece of shit in China!!(此处为自嘲,是对自己职业的悲哀)

rufengfeishi

唉，看来我还要很多不懂的地方，要虚心学习。

mao1984

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>xiang_1025</I>在2006-8-16 11:25:00的发言：</B>
14楼的理解是错误的，如果是用两个MOS的IC时通常会再加一个二极管来避免bat的电压反向倒灌现象，并不是用什么三极管来做这个事，两个管子一个是辅助作用，另一个和外部的二极管
来组成充电的关键部分，所以也有的方案就用一个MOS管和二极管的组合IC。

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>


赞成 我见过你说的这种

mao1984

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>aquasnake</I>在2006-12-19 10:10:00的发言：</B>
一个致命的BUG是当Vcharge的P-MOS导通的时候，充电电压Vcharge经过另一个P-MOS的内置防反ESD保护二极管[/COLOR]直接加载到Vbat！由于充电电压一般是5V，经过一个MOS损失0.3V，一个二极管损失0.5~0.7V，那么保守情况下有4V电压直接加到Vbat，PMIC充电回路被bypass不说，更大的安全隐患存在其中，试问,如此硬件设计，怎么可以商品化？？

标准参考设计肯定是一个P-MOS（也有加个二极管防止电池泄流到Vcharge)，别自作主张了，handset充电设计做系统架构设计的时候专门研究过了各种方案，是最可靠的选择</DIV>


蓝色部分能解释下吗
先谢谢了
[em09]

aquasnake

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>mao1984</I>在2007-12-9 1:25:00的发言：</B>



蓝色部分能解释下吗
先谢谢了
[em09]</DIV>

smalld810

这是TI平台充电电路的参考设计图，确实是用back2back的dual P-mosfet做的[upload=jpg]UploadFile/2007-12/071228@52RD_ppp.JPG[/upload]

chenhj

看了这么多还不是很明白，加多第二个PMOS怎么感觉就不能防反了呢？当充电CHARGE小于电池电压时候好像会反灌吧，假如CHARGE=3V,VBAT=4.2V，两个控制端同时拉低，这个时候下面那个PMOS导通，7脚电压比CHARGE大，通过上面那个二极管不就反灌到USB啦？？？

huiyic

<P>不错，分析挺透彻。</P>

rainflow

小弟不才，觉的会不是会做充电和OTG共用的呢？？！！
貌似电流正反都可以通艾

yanmings

目的有两个，一是防倒灌，二是减小压降，利于USB充电。

vangao

此方案的优点:
1.用两个PMOS管相对于一个PMOS+一个肖基特二极管损耗小.
因为肖基特二极管本身压降最小也要有0.4V,而PMOS压降则小很多.
2.可以提供OTG充电功能
可以控制两个PMOS的导通来实现双向充电.

PMOS的寄生二极管可以防止电流反灌.

zhangsheep

在充电的时候，上面的那个pmos导通，此时第二个pmos的Vds>0吧，电流就只能从其寄生二极管通过，这样的话也会产生一个压降吧，难道和直接用PMOS+二极管区别大么？

hunterzhao

51楼言之有理。

yantaisgj

这个帖子不错.
给大家看一个电路.MOTO的V3i
MOTO的很多机器都这个用法.L7等
里面两个管子是一脚控制.
个人觉的这种用法主要针对USB充电电路.
如果两管分开控制就是分adapter和USB充电
如果一脚控制就是合而为一

原因还是因为USB充电点压受限制.
电池对外部充电?有例子吗?
这电路挺像LIB电池内的保护电路.

【文件名】:08611@52RD_V3i_Schematic.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:448K
【简　介】:
【目　录】:

lins74

首先肯定的是两个pmos的设计是肯定没有问题的，Fairchild公司就提供这种电源控制芯片
但是我看讨论中有一个问题，就是在normal charge的时候，这两个mos并不都是处于导通状态！！
靠近power的那个mos应该工作在饱和区，它控制了流向vbat的电流大小。靠近vbat的那个mos才是处于导通状态，类似一个压控电阻。
两个mos的设计的优点就是可以通过控制它们栅极的电压（两个栅极通常与ABB/PMU芯片直接相连），使它们可以工作在不同的状态下，从而应对各种充电模式。

yantaisgj

两个P-mos的S共通．可以同时动作?电流方向相反啊
另外两个管子并不一样.一个可1.8V导通.一个2.5V导通.
Ron也不一样.
http://hi.baidu.com/maozi42/blog/item/0e90fc1f21e8200a314e1544.html
这是L7的维修手册.大家可以参照.
附上L7的电路和简单说明.

充电稳压器1如Figure-4所示. 它包含一对P通道MOS管和一个0.1ohm充电
电流感应电阻用于充电电流控制. M1和M2组成超级场效应管.输出电压通过
VCHRG[2:0] 数据位编程控制,输出电流通过 ICHRG[3:0]数据位限制.在
CHRGISNSP 管脚提供电压反馈信号.钳电位电压通常设为 4.0V.在L7 中钳电位电
压设为4.2V用于常温状态下的充电操作.  
对于电流控制环路,MI和M2作为控制单元,外部的感应电阻(0.1ohm)作为限流电
阻.通过 ICHRG[3:0] 控制位的设置可以控制感应电阻上的压降. Atlas的
CHRGCTRL管脚用于驱动M1和M2. Atlas内的数模转换器可以提供最多到1.6A
的充电电流.



希望大虾能给说明白.

[upload=jpg]UploadFile/2008-6/08612@52RD_111.JPG[/upload]
[upload=jpg]UploadFile/2008-6/08612@52RD_222.JPG[/upload]
[upload=jpg]UploadFile/2008-6/08612@52RD_333.JPG[/upload]
[upload=jpg]UploadFile/2008-6/08612@52RD_444.JPG[/upload]

lins74

嗯，后面的慢慢再看，但是两个Pmos的D相连而不是S相连

yantaisgj

大哥.图纸和管子说明都在呢.
我说的是我发的那个.
D相连而不是S相连???
是M1、M2

yantaisgj

46F的图中 VAC是指充电器、PCHGAC是指电脑等USB充电?
个人认为就是两种状态分别用不同得管子.估计USB线上的管子性能更好.

这个图和我发的MOTO的图并不一样.

lins74

1. 46F中的电路VAC指的是充电器，PCHGAC指的是precharge，不在这里讨论的范围内
2. 在你发的MOTO的图内，由于两个栅极用同一个电压控制，那么应该使用不同的类型的PMOS，这点你在56楼说过了。TI的solution里面由于两个栅极用不同电压控制，倒不一定要使用不同的PMOS，fairchild的芯片里面两个PMOS是不是一样还真的没有注意过，呵呵
3. d相连还是s相连倒不是太重要，关键是保证从电流从充电流向电池即可。在Ti的里面，靠近充电器的PMOS进入饱和区，可认为是压控电流源；靠近电池的pmos进入线性区，可认为是压控电阻。我想MOTO 这个应该相反。
看了看你第一个电路，M1应该是那个2.8v 导通的mos，而M2是1.8v导通的mos
以上是个人观点，欢迎讨论，呵呵