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楼主: capacitance

[讨论] 充电控制电路的PMOS管作用?

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发表于 2006-10-12 19:28:00 | 显示全部楼层
其中ICTLusb2是用来选择采用USB方式充电的,它与ICTLAC2引脚相对应
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发表于 2006-10-13 13:23:00 | 显示全部楼层
画得对吗?下面的一个PMOS管的反向二极管一直处于正向导通状态,根本就起不了控制作用。是找不到合适的MOS+一个二级管的器件?还是这个更便宜更容易采购?
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 楼主| 发表于 2006-10-28 21:06:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>wanchenc</I>在2006-10-13 13:23:00的发言:</B>
画得对吗?下面的一个PMOS管的反向二极管一直处于正向导通状态,根本就起不了控制作用。是找不到合适的MOS+一个二级管的器件?还是这个更便宜更容易采购?</DIV>


画的绝对没问题。下面的确实是一直导通的。还有个理由可能是MOS的反向导通压降只有十几个mV,二极管怎么也有0.2-0.3V。选择个方案的电路很大一个可能原因是因为用的充电器输出电压比较低,可能只有4.3-4.5V,如果在二极管上降个0.2-0.3V,就可能充不满电了。而且,MOS的关断能力要比二极管强。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2006-12-8 19:47:00 | 显示全部楼层
TI的充电线路都会用这两个线路,有两个作用:控制电流的流向,第二:防止反向电流通过,precharge path[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2006-12-18 16:31:00 | 显示全部楼层
画的没有问题的!

这电路(需控制IO配合)的作用就是在任何情况下,不会使外部充电器或者USB5V的电压直接加在电池上,而是通过内部的充电IC再给电池充电.因为在这使用锂电池,内部带充电电路,插入USB即可充电又可给整机供电的情况下,这种背靠背的PMOS接法是一定要使用的!
结合整个电源部分的电路一起看就明白了,单看这部分是很难看懂的.[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2006-12-19 10:10:00 | 显示全部楼层
一个致命的BUG是当Vcharge的P-MOS导通的时候,充电电压Vcharge经过另一个P-MOS的内置防反ESD保护二极管直接加载到Vbat!由于充电电压一般是5V,经过一个MOS损失0.3V,一个二极管损失0.5~0.7V,那么保守情况下有4V电压直接加到Vbat,PMIC充电回路被bypass不说,更大的安全隐患存在其中,试问,如此硬件设计,怎么可以商品化??

标准参考设计肯定是一个P-MOS(也有加个二极管防止电池泄流到Vcharge),别自作主张了,handset充电设计做系统架构设计的时候专门研究过了各种方案,是最可靠的选择
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发表于 2007-1-5 16:35:00 | 显示全部楼层
TI的很多平台都是这样的,很多pda的电源管理9030/9040也是用两个PMOS。我认为下边的Pmos和很多平台用的二极管作用是一样的。但用MOSFET的压降会比用肖特基二极管低,这样在USB充电时更有利
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发表于 2007-1-6 22:35:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>jssyzjz</I>在2007-1-5 16:35:00的发言:</B>
TI的很多平台都是这样的,很多pda的电源管理9030/9040也是用两个PMOS。我认为下边的Pmos和很多平台用的二极管作用是一样的。但用MOSFET的压降会比用肖特基二极管低,这样在USB充电时更有利</DIV>


很不幸,我研究了这种设计,认为存在安全隐患
我还是感觉现在设计员水准一年不如一年
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发表于 2007-1-8 14:48:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>capacitance</I>在2006-7-9 21:00:00的发言:</B>
用两个PMOS管控制充电,我的理解是:允许充电时,两个控制信号都拉低,电流从pin3-&gt;pin5,并由于二极管效应,-&gt;pin1,进入电池,起作用的是上面的PMOS。截断时,两个控制信号都拉高,起作用的是下面的PMOS。似乎用一个PMOS也可以控制,用两个是不是为了防止关断时由于二极管效应导致电池通过管子放电?[upload=gif]UploadFile/2006-7/0679@52RD_新建 BMP 图像.GIF[/upload]</DIV>




[upload=jpg]UploadFile/2007-1/0718@52RD_BATT.JPG[/upload]

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发表于 2007-1-9 23:46:00 | 显示全部楼层
很同意duanduan的看法,单独看这个电路没有实际意义,最好结合完整电源结构。
对以上电路稍加修改,两个背靠背的PMOS可以控制各种电源和谐工作。Q1A作为硬电源开关或者与GPIO配合,切断电池无适配器系统所有电源;Q1B作为适配器和电池选通进入系统电源VCC;适配器与VCC之间由二极管连接。(VCC后接DC/DC或LDO等等)
当电池对系统供电,Q1A与Q1B导通,电池提供系统电源;插入适配器后,Q1B截止,适配器给电池充电及提供系统电源;拔去电池,适配器提供系统供电。
这是一个很经典的电源切换电路,但问题也多多:1、Q1A和Q1B可能发热,须选对器件;2、二极管发热;3、power detecter有延时的话,插入适配器后Q1B未及时关闭,适配器电压直接加在电池两端,烧坏电池(个人认为此问题最大)。
希望抛砖引玉,各位大侠多多完善。[upload=jpg]UploadFile/2007-1/0719@52RD_1334234.JPG[/upload][br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

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发表于 2007-1-10 11:03:00 | 显示全部楼层
有的方案就用一个MOS管和二极管的组合IC。
我想原理和这个差不多了,只是有MOS的压降小一些!
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发表于 2007-1-10 11:20:00 | 显示全部楼层
同意30楼.

不过我觉得这种保护,最主要是针对系统的. 虽然Vcharge直接与Vbat相连,会对电池的寿命有影响,但由于BAT里有保护片,所以不会带来致命的损坏. 问题在于如果没有双PMOS的隔离保护(或一直导通), 当BAT由于长时间未用而过欠压时(<2V),当接上Vchange时,系统将不能及时启动.

顺便问下, 哪位兄兄弟在用单独的充电管理, ABB/PMU 不是带了吗... ?[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-10 12:10:00 | 显示全部楼层
好像也有用VDD的充电PMOS。
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发表于 2007-1-11 19:55:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>arohk</I>在2007-1-9 23:46:00的发言:</B>
很同意duanduan的看法,单独看这个电路没有实际意义,最好结合完整电源结构。
对以上电路稍加修改,两个背靠背的PMOS可以控制各种电源和谐工作。Q1A作为硬电源开关或者与GPIO配合,切断电池无适配器系统所有电源;Q1B作为适配器和电池选通进入系统电源VCC;适配器与VCC之间由二极管连接。(VCC后接DC/DC或LDO等等)
当电池对系统供电,Q1A与Q1B导通,电池提供系统电源;插入适配器后,Q1B截止,适配器给电池充电及提供系统电源;拔去电池,适配器提供系统供电。
这是一个很经典的电源切换电路,但问题也多多:1、Q1A和Q1B可能发热,须选对器件;2、二极管发热;3、power detecter有延时的话,插入适配器后Q1B未及时关闭,适配器电压直接加在电池两端,烧坏电池(个人认为此问题最大)。
希望抛砖引玉,各位大侠多多完善。[upload=jpg]UploadFile/2007-1/0719@52RD_1334234.JPG[/upload]</DIV>

[upload=jpg]UploadFile/2007-1/07111@52RD_aaa.jpg[/upload]
[upload=jpg]UploadFile/2007-1/07111@52RD_1163501148681.jpg[/upload][br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

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发表于 2007-1-19 15:51:00 | 显示全部楼层
没做过手机,不太了解怎么回事.只解释一下PMOS管原理好了,当VGS电压为负时是导通的,当VGS为0时IDS电流最大.当VGS大于0的时候管子关断.NMOS则相反,只不过有个VT门限电压而已,呵呵....]至于MOS管内部的二极管,只是为了防止瞬间产生大电流而损坏MOS管而已.比如说负载是感性元件的话,由于电感的反向电流可能损坏MOS管.就说这么多了,没玩过手机,只知道基本原理,功能还要靠做手机的高手去分析了.呵呵[em12][br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-23 20:41:00 | 显示全部楼层
收藏  不错
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发表于 2007-1-24 16:06:00 | 显示全部楼层
嘿嘿,没理解够深
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发表于 2007-11-5 15:42:00 | 显示全部楼层

支持

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>capacitance</I>在2006-7-16 15:24:00的发言:</B>
看样子还有待继续研究!按我的想法也是,第二个直接换成个二极管就行了,还是不明白为什么要用双MOS</DIV>



支持观点,mtk好多都是这样
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发表于 2007-11-13 12:03:00 | 显示全部楼层
在手机保护板上面,这两个MOS是用来管理充放电的。上面一连接充电器的MOS是用来实现充电管理功能,在电池没有电池电压没有达到IC设定的过充保护电压的情况下一直是导通的。下面MOS是放电管理,在电池电压没有达到IC设定的过放保护电压的情况下,一直是导通的。没有过放的状态下一直是导通的。因为手机电池的保护板很小,一般采用一小封装的的MOS.里面集成两个单MOS管/这样有一个不好就是MOS能承受的电流比较小。如果要承受大的电流,可以通过两个或多个双MOS并联,或者可以采用两个大封装的单MOS串联实现。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-11-15 14:56:00 | 显示全部楼层
PMOS+二极管与双PMOS接法其实是PMOS+二极管接法的改进方式,因为采用PMOS+二极管方式充电的时候二极管会有一个0.5V左右的压降,对于有些通过USB接口充电的情况,可能本来就只有4.7V的电压,被二极管降了0.5V,再其他地方降个0.2V,那最后电池只能充到4.7-0.5-0.2=4.0V,不能达到4.2V的满电了。而采用PMOS管就解决了这个问题,PMOS管的导通电阻非常小,压降可以忽略,而且也自带了寄生二极管防止电池的电压反向倒灌,并且可以控制开关。
[em01][br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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