讨论一个射频器件摆放的问题

fdsuf4 · 发表于 2016-1-15 13:43:29

所有抛开板子谈摆放都是耍流氓

aini1314 · 发表于 2016-1-25 09:40:52

学习啦

52RD网友 *发表于 2016-2-14 14:01:37* · 发表于 2016-2-14 14:01:37

学习学习！！

Node_B · 发表于 2016-2-18 13:59:44

很好的话题；
年前，碰到一个问题,因板宽度有限，频段较多，摄像头破板，导致射频PCB空间严重不足，原来射频区域背面为SIM/UIM区域（通常业界常规布局），规划放置射频器件，即所谓的双面布板；
查看了很多友商的PCB布局，希望能借鉴到双面布局的案例，很遗憾，就我搜集到的资料表明，目前国内还没有这样双面布局的尝试（单指手机，数据卡和模块有可能采用双面的情况，也可能是我孤陋寡闻了）

个人认为：将PA+DUP放置在TOP;TC放置在另外一侧，最大的风险，来源于射频大孔的保护和泄露，PA的地回路和TC接收通路的地回路存在耦合的可能；另外一个就是热；有人说，APPLE是这样操作的，我们得明白一个前提，APPLE采用的是任意阶板，不像国内二阶，三阶板层间的影响这么大

楼里有人说TC距离PA>5mm,不知道有谁尝试过PA和TC仅仅投影区错开的这样的布局？

babylixpig · 发表于 2016-2-18 17:43:34

Node_B 发表于 2016-2-18 13:59
很好的话题；
年前，碰到一个问题,因板宽度有限，频段较多，摄像头破板，导致射频PCB空间严重不足，原来 ...

我见过投影区重叠和不重叠的都有，但是一般都是将PA单独一个屏蔽罩放一面，然后双工和TR放一面，但是不知道调的如何，因为公司指标要求不严格，所以可能也能将就

Node_B · 发表于 2016-2-19 10:09:30

babylixpig 发表于 2016-2-18 17:43
我见过投影区重叠和不重叠的都有，但是一般都是将PA单独一个屏蔽罩放一面，然后双工和TR放一面，但是不知 ...

PA单独放TOP,TC+DUP放另外一边，则会多增加1个穿板大孔，TC到PA，穿一次，TRX还要穿一次，如果天线开关和连接器放置在两侧，还要再穿板一次，我DUP很多（8个以上），背面也放不下，将所有匹配都压成L，低频PA的输出匹配还拉到非常远，才勉强将PA和DUP塞下，部分TX/TRX/RX距离也拉不开，估计DUP的隔离会是个大坑

我现在还有另外一个担心：

TC放置在靠近PA+DUP的信号放大区域,射频通路有些“成环”，（因板窄，TC和PA无法上下错开，只能左右错开），这简直有些颠覆我的三观

看OPPO的有些紧凑布局，他们是宁愿放弃背面，将TOP面搞得跟紧急集合似的，也要避免双面布局，看来大家对这种情况的忌惮还是比较大吧！

谢谢兄弟给我提供的讯息，我就硬着头皮做一把，如果成了，来这里跟哥儿几个分享一下成功的喜悦或者失败的“教训”：）

Node_B · 发表于 2016-2-19 10:23:47

大家可以脑补一下PCB面积及布局（避免21#兄弟所说的耍流氓情况）；在一个全网通的板子上，加4个以上爷爷不疼，姥姥不爱的FDD频段，PCB面积为全网通射频面积砍掉常规布局放TC的高度，CPU在下方，CPU正上方为摄像头

babylixpig · 发表于 2016-2-19 17:12:51

Node_B 发表于 2016-2-19 10:23
大家可以脑补一下PCB面积及布局（避免21#兄弟所说的耍流氓情况）；在一个全网通的板子上，加4个以上爷爷不 ...

PA单独放TOP,TC+DUP放另外一边，则会多增加1个穿板大孔，TC到PA，穿一次，TRX还要穿一次，如果天线开关和连接器放置在两侧，还要再穿板一次，
这里TC到PA如果同面那么也很难做到没有大孔，现在LTE的布局大多平台将PA必须单独隔开，那么只有破金才能走表层，这样才能没有大孔，但是这边一般好像只是一些调制指标比较差会动，功率一般都满足要求，TRX的TXM开关和连接器测试座也是和DUP TRC同一面的，基本保证了RX全部表层走线，连接器公共段我们是第一重要性，必须短和表层

至于DUP的匹配，有空间当然最好放π，但是没有的话L也可以，实际影响甚微，TRX和RX都是表层，只要确定一个方向，我觉得按照优先级排下来是可以做到的

TC放置在靠近PA+DUP的信号放大区域,射频通路有些“成环”，（因板窄，TC和PA无法上下错开，只能左右错开），这简直有些颠覆我的三观
这里我觉得有两点第一个是热，第二个是PA的大功率，都是对TC内部的VCO有着致命的影响，散热往反方向散热，那么显然宁愿同面挤一点，也不要背靠背

lcxie · 发表于 2016-2-23 16:54:52

根本问题是在狭小空间中，多个信号间的隔离度。

Node_B · 发表于 2016-2-24 11:13:35

lcxie 发表于 2016-2-23 16:54
根本问题是在狭小空间中，多个信号间的隔离度。

老XIE ，好久不见，呵呵，还在SZ? 啊，问我是谁？你猜！：）

问一下：TC输出经过PA放大，再通过双工器输出，整个射频链路呈“o”型，虽然，TC在bottom,PA在top；

这样的影响到底有多大，小信号走到大信号区域，我之前从来没这么干过，想听听你的建议

lcxie · 发表于 2016-2-25 16:52:40

Node_B 发表于 2016-2-24 11:13
老XIE ，好久不见，呵呵，还在SZ? 啊，问我是谁？你猜！：）

问一下：TC输出经过PA放大，再通过双工 ...

海内皆兄弟，天涯若比邻！我说的隔离度主要是参考地和信号独立区域的封闭性，隔离好啦就是有重叠，其实影响不大。

Node_B · 发表于 2016-2-26 10:54:20

lcxie 发表于 2016-2-25 16:52
海内皆兄弟，天涯若比邻！我说的隔离度主要是参考地和信号独立区域的封闭性，隔离好啦就是有重叠，其实影 ...

借你吉言了

悔不该，堆叠时没上心，让BB和MD把好地方占了

射频模块化，我觉得很有必要，以后策划每增加1个Band,RF要求多少mm2，明码标价，童叟无欺！

lcxie · 发表于 2016-2-26 11:27:31

Node_B 发表于 2016-2-26 10:54
借你吉言了

悔不该，堆叠时没上心，让BB和MD把好地方占了

呵呵呵，进步都是用痛苦及悔恨累计起来的！

wangjin2015 · 发表于 2016-3-8 20:41:27

努力学习中。。。。。。

lanlingwang · 发表于 2016-3-18 16:50:08

二楼是神回复

yuhu656ki · 发表于 2016-5-21 20:09:58

肯定是双面布局好，单面布局走线会过长，并且如果PA和tranceiver在一个屏蔽罩内，干扰是根本避免不了的，屏蔽罩内的空间多径干扰。这个在很多参考设计中是明显写着的，双面布局的温度漂移问题可以通过在PA上增加导热胶，把热量很快的导到屏蔽罩上去，扩散掉来解决的。

52RD网友 *发表于 2016-5-21 21:36:22* · 发表于 2016-5-21 21:36:22

cylbailey · 发表于 2016-5-22 23:54:42

很实际的topic:)
这些年做过的项目，射频乃至基带框架都自己布局并预走完主要线路，加上调试，有些心得体会。

这个问题不要孤立去看，首先看下版型:

如果是半截板的，通常射频背面会是卡座，这种情况下大部分时候倾向与TC&ASM&DUP&PA摆同一面；
MTK喜欢ASM+DUP+TC//PA分屏蔽框，QCT喜欢TC//ASM+DUP+PA分屏蔽框，各自利弊大家应该也多少知道；
要说的几点是1：现在的SAW/BAW等thermal drift都做得还可以，实际受PA影响没那么严重，射频前端的趋势都在将filter和PA集成，从这一点出发，更倾向于QCT的做法。 2：TC到PA的走线，实际上要求不那么高，你看看现在都是L/M/H各一根，支持带宽很宽，若说DA linearity loadpull很敏感也不太会。 3: QCT的那么做是担心TxVCO pulling，MTK那么做私以为是灵敏度不如QCT，但是具体怎么选还是优先看结构空间，怎么舒服怎么来。

如果是L型或者U型板，这种情况下大部分时候倾向与TC&ASM&DUP&PA摆两面；L型或者U型板走线最困难的地方在于板宽很窄难以过线，射频两面摆的好处是可以尽量把其他模块比射频更靠上放，也减少了其他模块的走线要穿越射频区域的数量，同时射频内层走线的区域可以限制在板子上相对较小的一块区域，可以腾开预算给其他模块。

lvcxl · 发表于 2016-5-23 21:59:45

不错不错。。

小易 · 发表于 2016-5-24 22:21:25

lixin8436 发表于 2016-1-4 09:18
看苹果6的rf 摆放是双面部件。PA放在一面，双工saw放另一面

发热大户放一边

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