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楼主: Amay

[讨论] 关于PA旁边的坦电容

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发表于 2006-9-2 15:06:00 | 显示全部楼层
DING, 怎么看不到图
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发表于 2006-9-2 22:09:00 | 显示全部楼层
这个 电容的大小与PA有一定的关系可以参考实际的推举值,主要的作用是保证发射的时候的电源稳定,否则输出的功率会变化,引起功率的振荡,当然ORFS的性能也会变差;但与实际的PA与电池连接器的的连线的长短和宽度都有关系(电源线的瞬态阻抗有关系),一般对GSM来说,如长度小于2CM ,对应RFMD和SKYWOKS的PA,采用10UF/10V的Tan电容,都没问题。
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发表于 2006-9-3 14:40:00 | 显示全部楼层
这个电容的大小要根据ESR,电池内阻,BAT trace的阻抗,空间,成本等综合决定.
在相同条件下,一般是越大越好,我们曾经做过实验,越大的Vbat上面的TDD noise有显著改善.
当然,旁边的一些高频bypass的电容是另当别论,他们的值一般由HBT的特性和寄生参数决定.
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发表于 2006-9-22 18:58:00 | 显示全部楼层
以前用的比較多,現在每家的IC的特性都是不錯的,如果不出什麼問題我們都不用了.節約成本啊!!!
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发表于 2006-9-22 22:41:00 | 显示全部楼层
有用大于10u的吗?我们PA用的滤波电容从来没有超过5u的。
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发表于 2006-10-10 17:14:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>kevin_xu</I>在2005-12-18 9:24:00的发言:</B>
我想请教一下大虾们:我用的是TI的平台,在电池连接器旁边的旦电容值是40uF的,我们工程师告诉说必须要大于或等于40uF,也可以用4个10uF并起来用,不知道没什么一定要40uF?一个40uF的和4个10uF的效果是一样的吗?</DIV>


4个10U要优于1个40U,ESR会变小
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发表于 2006-10-10 20:27:00 | 显示全部楼层
同意hwan67的说法
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发表于 2007-7-11 18:50:00 | 显示全部楼层
首先要弄明白电容的作用,不能一味的大,如果是滤波,关键是看滤除的频率,每个电容的频率特性不一样,用不好只会适得其反。当然ESR是肯定要看的了。
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发表于 2007-7-12 10:51:00 | 显示全部楼层
手机上的电容要用10v以上的,上回我们用6。3v的,电压高一点就爆了!
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发表于 2008-1-22 14:13:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>mysgon</I>在2007-7-12 10:51:00的发言:</B>
手机上的电容要用10v以上的,上回我们用6。3v的,电压高一点就爆了!</DIV>


那你可以考虑使用polymer钽电,这种是不会爆浆的,而且去除纹波的效果会更好。一般使用较多的6.3V/22uF的就可以。当然从去纹波的角度来看,容量越大越好。
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发表于 2008-1-22 19:23:00 | 显示全部楼层
学习了!@我们以前做的网卡都有2到3颗很大的坦电容呢
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发表于 2008-1-28 14:23:00 | 显示全部楼层
我们一般选33UF的,但由于后面电容体积太大容易与PA屏蔽架短路就改成了10UF的,经过验证,一切性能良好!现在量产很久的时间,都正常!!!!!!!!!!!!
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发表于 2008-1-30 15:27:00 | 显示全部楼层
提供KEMET的POLYMER电容 超低的ESR值的...有需要的联系我 13581605118
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发表于 2008-2-2 14:44:00 | 显示全部楼层
我觉得还是要分清楚了,大的电容主要是为了抑制瞬间的电源产生类似TDD波形的波动。至于其他的滤除spurious的主要是通过旁边的小一点的电容。说白了大电容就是一个大的水库,小电容就是沟沟渠渠。[em01]
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发表于 2008-3-8 21:11:00 | 显示全部楼层
很长知识啊,谢谢~~!!
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发表于 2008-3-10 10:55:00 | 显示全部楼层
根据不同PA来决定

效率上 GaAs>GaSi>CMOS

由此,以上基底材料的PA其电容选择由小到大(或可15uF, 22uF,47uF)

同样衬底的流控线性度比压控好,也可以适当减小其电容
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发表于 2008-3-16 09:48:00 | 显示全部楼层
学习了~![em01]
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发表于 2008-3-25 10:52:00 | 显示全部楼层
容值的大小并不是越大越好,越大成本越高。
应该根据实际的效果,做出选择。
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发表于 2009-8-24 17:06:00 | 显示全部楼层

关于PA旁边的坦电容

我用的PA是RF3196MS 电容并得是33UF的。
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