关于PA旁边的坦电容

superwei

一般使用10u 的为多

lhuijiang

耐压要高一些，否则将会出现意外：）[em05][br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

redvalorm

其实我觉得,不同的平台用的电容值是不同的，满希望大家在探讨的时候注名是什么平台,这样更方便象我这样的菜菜学习学习.[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

xdtony

<b><FONT color=#000066>soloistcat说的对，这个电容并非越大越好，要看你需要滤除什么样频率分量。倒是电池连接器旁边的电容似乎大一些会比较好，呵呵！</FONT></b>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

micke

一般選擇 LOW ESR的100UF以上的,主要是儲能和退耦.[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

oh_mygod

<P>这颗电容当然是越大越好了，但是要考虑你的成本的话，选一个差不多大的就行了，耐压最好大一点</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

richard_cho

按照datasheet上推荐的就可以了啊，一般都会写明什么电容，耐压多少！！[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

luoyang

<P>电容的大小和PA的选用有关吧,不同PA选用的电容不同吧,当然用钽电容较好,但价格好像不低哦!</P>

hwan67

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>Amay</I>在2005-6-27 15:56:21的发言：</B>
请问这颗电容怎么选？
容值多大？耐压值多大？

<P align=right><FONT color=red>+5 RD币</FONT></P></DIV>


真的是愈大愈好嗎?? 有認真想過為什麼會放一個電容呢 ?
一般的CHIP IC 都有BOMDING 小電容是為了消除電感 所以一定要放在CHIPSET週邊!
而大電容是為了穩壓和濾波用......太大真的有用嗎?? 有本書 叫PRINTED CIRCUIT BOARD DESIGN TECHNIQUES FOR EMC COMPLIANCE 的書 第三章裡有教到 本體電容 方面的算法...你可以參考看看囉!! 大小值可以自己去決定啦!不是一定大就好![br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

kevin_xu

我想请教一下大虾们:我用的是TI的平台,在电池连接器旁边的旦电容值是40uF的,我们工程师告诉说必须要大于或等于40uF,也可以用4个10uF并起来用,不知道没什么一定要40uF?一个40uF的和4个10uF的效果是一样的吗?

sunnu789

<P>此电容对功放的线性有很大的影响，以CDMA PA为例，如果没有这电容，ACPR 要坏几个dB.</P><P>此电容值通常uF级，因为要对低频滤波，象CDMA，邻道间隔(offset frequency)&lt;1MHz，此电容阻抗要对1MHz足够小。其他modulation，同样有一样的考虑。</P><P>耐压要同时满足电源加RF电压(voltage swing).</P>[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

EMCguy

这个大电容是储能电容(bulk capacitor), 不是高频电容，理论上是越大PA电源纹波就会越小。GSM PA 用几十uF就够了。耐压高于电池的电压加些余量，6V or 10V就行。
这个电容体积大，一般不放在射频屏蔽罩里。放在电池接触点附近。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

Kenliu

<P>我想坦电容这里主要还是对电源的干扰起到隔离保护的作用，一般要综合考虑， 除了滤去电源本身的杂波，还要考虑PA有没有和别的器件共用电源，我想一般没有吧，呵呵，要考虑ESR，保证能够消除PA本身对别的部分的影响，最好多并联一些别的电容，这些都是可以大致算出来的。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

hata_sang

<P>现在一般新的PA，靠近电源脚放一个10UF的电源就可以兼顾TX杂散的性能了，不过靠近电源连接器还是需要22UF左右的旦电容，是防止bb或其他电路的电流回灌。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

arolka

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>kevin_xu</I>在2005-12-18 9:24:24的发言：</B>
我想请教一下大虾们:我用的是TI的平台,在电池连接器旁边的旦电容值是40uF的,我们工程师告诉说必须要大于或等于40uF,也可以用4个10uF并起来用,不知道没什么一定要40uF?一个40uF的和4个10uF的效果是一样的吗?</DIV>

应该是一样的,1颗lay板子方便点点,啊哈哈

fox_ring

<P>the functions of the tan caps mainly is smoothing caps(reduce peak current variations) and bulk decoupling ,for smoothing peak ,the value is decide by the ratio of ramp(or raise time)--we use 330uF; for bulk decoupling, the value is decided by the spur on the mainboard.</P><P>commonly the power is connected to PA through a RFC or bead</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

EMCguy

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>fox_ring</I>在2005-12-27 9:34:31的发言：</B>

<P>the functions of the tan caps mainly is smoothing caps(reduce peak current variations) and bulk decoupling ,for smoothing peak ,the value is decide by the ratio of ramp(or raise time)--we use 330uF; for bulk decoupling, the value is decided by the spur on the mainboard.</P>
<P>commonly the power is connected to PA through a RFC or bead</P>

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>


Hi, fox_ring,
It's quit common to use RF Cap on PA power line, but I am always hesitated to use bead considering the very high peak current from PA and that could cause some power loss or even voltage drop on it. Do you have some experences to share by using bead ? (what kind of ?)
Thx.
An EMC guy.

pinkao77

IF YOUR SYSTEM IS TDD AND HIGH POWER, YOU SHOULD CONSIDER THE RC time constant, not allow the ripple  generated in the power line.so the large the best.byt the module size limit the capacitor size. 100uf 6v[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

leophone

可不要误导人啊，应该是不一样的，esr经4个电容并联后会更小能得到更好的纹波，但是同样的ESL也会变小，谐振频率会变高，去除低频噪声的效果可能会变差，所以最好还是用一个钽电容比较好。本人也是刚入手机的菜鸟，不知道这样的理解是否对，希望也不要误导人哦
[em13]

微波炉

<P>根据我的理解这个电容应该是滤掉PA产生的217Hz的电源纹波，使PA的供电电压保持稳定，同意EMCguy的储能电容说法，就像一个水库，呵呵。</P>