来个神人解释下这个100NF怎么回事

gook2009

以下是引用wei798在2011-1-23 15:32:10的发言：
早前MT6139有过和楼猪一样的经历。我的理解就是这个滤波电容靠射频走线HB_TX太近，导致电源纹波耦合干扰到了TC的VCO，去掉这个电容实体，只剩下一个VCCRF电源焊盘平面的辐射，干扰大为减小。我是这么认为

还有可能就是你这个电容的地焊盘到主地不通畅，地孔拉的远，就会加大了干扰可能

那为什么加个小点的电容，20多PF的它也很好了，很正常的了。

gook2009

以下是引用myazx在2011-1-22 22:17:58的发言：
建议找个电源完整性的人问问，本人最近在学习这方面的东西，感觉你这问题是电源完整性设计不完美。。

是使电源干扰了，但是不是很清楚怎么干扰的，什么干扰的，只知道是PA的工作干扰到了它。

gook2009

以下是引用xiaodequan在2011-1-20 10:00:39的发言：
只是说说我的理解
一般情况，射频供电的滤波电容都会加一排大小不一的电容，每个值的电容对应不同的频响图形，像个V字，阻抗最小的谐振点处随着电容值的减小而向高频移动。叠加后的图像就是个W字，中间会有个尖峰突起，这个点的情况可能会变得更加恶劣。
期待其他的说法[em23]

试了从100NF加到几UF后都会有这种情况，也是很差的。不过也不排除这种情况。

gook2009

以下是引用xugang110在2011-1-21 11:24:08的发言：
还有请问LZ到PA和到TC的VBAT不是单独走线的么？[em07]

是单独走线的，是从VBAT引的两根线，而且一个靠左边一个靠右边，离的还比较远。

gook2009

以下是引用xugang110在2011-1-21 11:23:13的发言：
。
或者把其换成个几十PF的电容也正常了
这个怎么解释？
[em02]

是呀，就是一直想不明白这个呀。

gook2009

自己顶下

lijin08

以下是引用gook2009在2011-2-14 12:06:35的发言：
]


试了从100NF加到几UF后都会有这种情况，也是很差的。不过也不排除这种情况。

电容的阻抗曲线是一个V字，在谐振点处阻抗最小，当多个不同容值的电容并联之后，由于每个电容的谐振点不同，使得他们的阻抗曲线形成多个交叉的W曲线，这样在图形上看就是出现了多个谐振点和反谐振点，反谐振点对应的阻抗很大。楼主最初的板子上这一块应该有pF级别的电容，当你将100nF的电容换为几uF之后，由于其与pF级别的电容数量级差别更大，导致反谐振点的阻抗也更大，可以理解成W曲线覆盖的范围更宽，所以问题不能通过增大电容值解决。