NXP 把Doherty PA 做成集成的了，厉害！

zhuo · 发表于 2009-5-29 15:00:55

To Keithwoo,你如果不信，给我一个站内短信告诉我你的电话号码，我来详细告诉你。其实不是什么都可以从网上找到的，否则怎么会像你所说的那样，有所谓的内部资料,呵呵

sunnu789 · 发表于 2009-5-30 05:49:27

哪位可以传BLM6G22-30G, BLD6G21-50 或 BLD6G22-50 的Datasheet或给个链接?谢谢.
听说过NXP集成Doherty, 4个管脚, 2个输入/输出, 还有2个提供辅放丙类偏置. 我的理解是NXP用被动元件LC集成了输入/输出 1/4 波长线, 还须外置输入/输出匹配, 要是有Datasheet, 那就更清楚了.

功放管效率, 建议大家关注一下高压HBT:
TRIQUINT 250W HVHBT Doherty可以拿到50W/57% WCDMA 2C ACLR -55DBC.
http://www.triquint.com/prodserv/tech_info/docs/articles/250W_HBT_Doherty.pdf
NEC 宣称用此管已经做出WCDMA 40W/45%的基站功放.
WJ的线性HVHBT AP60X可以在同样的效率下, 拿到更好的线性. WJ现在被TRIQUINT买去了.
当然, HVHBT刚出来不久, 还不是太成熟. 不过, 假以时日, 应该比LDMOS有更好的线性和效率潜力的.[br]+3 RD币

keithwoo · 发表于 2009-6-1 01:10:18

以下是引用zhuo在2009-5-29 15:00:55的发言：
To Keithwoo,你如果不信，给我一个站内短信告诉我你的电话号码，我来详细告诉你。其实不是什么都可以从网上找到的，否则怎么会像你所说的那样，有所谓的内部资料,呵呵

呵呵，电话就不用了，怕暴露身份。看来仁兄对NXP的产品推崇备置，但我还是一个观点，空口无凭，有什么东西，得拿出数据来，NXP的inpackage Doherty 是一个发展方向，在功率较小的应用下未尝不是一个好的解决方案，但大功率情况下，就像楼上有位兄弟说的那样，硅基片上的损耗太大，导致效率降低，除非是NXP在半导体上有什么本质性的突破。能够大大降低半导体硅基片上的损耗，大功率inpackage doherty 才可能实现。不过如果是这样，那功放所有的匹配岂不是也可以集成到管子里去了？那我们大部分搞功放的可是真正的要失业了，作为在这一行当混饭吃的一员，我还是衷心的希望这种技术晚点出现的好[em15]

zhuo · 发表于 2009-6-1 09:26:06

呵呵，Keithwoo，你不相信你就看看我的附件吧，150W 的，你怎么看？:-)[upload=jpg]UploadFile/2009-6/0961@52RD_NXP_150W_ID.JPG[/upload]
[upload=jpg]UploadFile/2009-6/0961@52RD_NXP_150W_ID_Demo.JPG[/upload]
[br]+3 RD币

xiayunqiang · 发表于 2009-6-1 11:49:48

那问一下，FSL和NXP谁厉害？

zltogo · 发表于 2009-6-1 12:13:46

总的来说,肯定是FLS厉害! !

zltogo · 发表于 2009-6-1 12:20:32

以下是引用avr-arale在2009-5-29 1:11:00的发言：
不了解你们这些频段的，反正我们搞VHF、UHF的，常用NXP的BLF647，性能很好地管子

这位兄弟,你说的频段FSL也有性能比BLF647强的多的管子,具有代表性的一款:MRF6VP2600H:基本性能,80% eff at 600W, P1dB.

zhuo · 发表于 2009-6-1 17:22:37

BLF647是Philips 2001年的产品，MRF6VP2600H是FSL 2007年左右的产品，差了好多年，不具有可比性。确实技术永远是螺旋向上的，一家超过一家的，后来NXP又出了BLF574/BLF578超过了MRF6VP2600,MRF6VP41KH，特别是BLF578，第一个连续波（不是脉冲)能输出1KW的RF Power器件,估计FSL又在考虑用新的器件反超，这是好事，对于技术发展，不断有推陈出新
在功放的几个细分领域，
VHF/UHF的Broadcasting/ISM领域，NXP是最大，FSL是第二
在基站通信领域,FSL最大，NXP第二
在军品脉冲功放领域，M/A COM最大，NXP第二

keithwoo · 发表于 2009-6-1 22:14:14

以下是引用zhuo在2009-6-1 9:26:06的发言：
呵呵，Keithwoo，你不相信你就看看我的附件吧，150W 的，你怎么看？:-)[upload=jpg]UploadFile/2009-6/0961@52RD_NXP_150W_ID.JPG[/upload]
[upload=jpg]UploadFile/2009-6/0961@52RD_NXP_150W_ID_Demo.JPG[/upload]

+3 RD币

呵呵，不错，看来NXP在inpackage Doherty 上又更进了一步哈，不过我仔细看了一下，这个管子有一个很大的缺点，应该还不是成品吧，DPD后线性ACPR改善才20dB，改善后的ACPR为-50dBc，而我们知道在7.5的回退下DPD后ACPR应该有个-55（好的甚至要-60）才能满足系统的要求，所以这个管子如果要用在系统中，和设计的较好的Doherty相比，至少要多回退2dB，回退2dB效率要损失多少个点？5个点有吧，也就是说这个管子要达到和别的Doherty相同的线性(DPD后），效率至少差5个点，所以这个管子目前没有商用价值。不过这个管子在7.5dB回退时效率到时挺高的，考虑到inpackage中的损耗，还是相当不错了。如果能够解决ACPR的问题，这个管子会很有竞争力。

zhuo · 发表于 2009-6-1 23:03:00

楼上看来观点改变了:-),关于ACPR，测试表明能够接近-55dBc而不是-50dBc（数数看纵轴，5格多的ACPR！），我也不知道何来的理论，还要多回退2dB才能达到-55dBc。其实用这个管子DPD到-55dBc比比皆是。至于有无商用价值，楼上的太操心了，你没看到不等于没有，用一个150W管子的价钱做到两个75W管子的效果，一致性好，尺寸小，能没价值吗？呵呵

sunnu789 · 发表于 2009-6-3 03:13:33

从贴图的DEMO板看, 应该只是集成了输入/输出延迟线,好象不该有输入功分和输出合路器.
我没有做过Doherty PA, 只是有个疑问, 在功分或合路后面做匹配, 会不会降低匹配效果? DA好象不用输出合路器吧?

虽然没有做过DA, 但我认为DA可以有两种合成方法:
1. 先合成, 再匹配.
2. 先匹配, 再合成.
第一种方法电路简单, 空间省. 但负载牵引复杂, 因为负载阻抗是复数, 而且合成阻抗更小, 所以最好效率不容易出来.
第二种方法是通常所用, 调配容易, 每级调到50ohm后再Doherty合成, 效率较易出来, 但体积较大.

NXP应该是用第一种方法.
顺便请教一下, DEMO板输入/输出金色元件是大功率电容吗?可不可以告知一下通常的牌子型号?少见多怪, 请别笑话.

sunnu789 · 发表于 2009-6-3 08:13:14

上传一篇FSL的两级2X75W MMIC, 塑封, 发表在2008年MTT-S上.
Class AB 两级MMIC, 2.14GHz, P1dB=150W, 29dB gain, 47% PAE.
Doherty合成, 40W, 24dB gain, 35%.

【文件名】:150W, 2-stages LDMOS MMIC.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:366K
【简　介】:
【目　录】:

jupitorcuu · 发表于 2009-6-3 10:04:52

FSL的管子MTBF确实挺烂的，太脆弱了。
不知道NXP经不经的起时间的考验

shaohua1982 · 发表于 2009-6-4 09:14:15

NXP的东西，其实你要真的用过才有发言权，具体怎么样？还是自己用用吧，好像没有说的那么玄乎！

Alan_pann · 发表于 2009-6-4 10:49:40

以下是引用shaohua1982在2009-6-4 9:14:15的发言：
NXP的东西，其实你要真的用过才有发言权，具体怎么样？还是自己用用吧，好像没有说的那么玄乎！

当然也要看个人水平。
这样的性能相信现在大家都还没看到吧。

Alan_pann · 发表于 2009-6-4 10:50:24

以下是引用Alan_pann在2009-6-4 10:49:40的发言：
！

当然也要看个人水平。
这样的性能相信现在大家都还没看到吧。

[upload=jpg]UploadFile/2009-6/0964@52RD_Snap1.jpg[/upload]

jupitorcuu · 发表于 2009-6-4 17:07:07

效率真高

sunwanderer · 发表于 2009-10-3 17:39:42

FSL推出最新功率管的roadmap，2009底，DHT效率在回退8dB达到50％左右。。期待～

集成DHT可以成为产品，但不可能成为精品。

说句实在话，功率管的精力是做器件，不是电路。如果每个频段，每个功率等级，都做成内匹配的DHT结构，这种器件灵活性太差。另外，厂家也没有这个人力和精力，要不，大家也不用做功放板了，都到FSL和NXP去上班，才能完成这个任务。[em01]

这个是可调高Q电容，Voltronics可调电容一般懒人喜欢用这种电容：）
刚调试，比较方便

顺便请教一下, DEMO板输入/输出金色元件是大功率电容吗?可不可以告知一下通常的牌子型号?少见多怪, 请别笑话.

本文来自：我爱研发网(52RD.com) 详细出处：http://www.52rd.com/bbs/Detail_RD.BBS_150962_26_1_3.html

Focus · 发表于 2009-10-6 20:13:42

牛人怎么都不见了??

sunnu789 · 发表于 2009-10-6 21:33:08

【文件名】:09106@52RD_120W_LDMOS_GSM_MMIC.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:396K
【简　介】:
【目　录】:

谢谢sunwanderer的回答.
已给你传了上面的两篇文章,但你的邮箱好象不对.
我再试着给论坛传一次,看能不能成功.是不是附件不能有逗号和空格吗?

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