ldo的取样电阻值怎么确定？

cocoa · 发表于 2006-7-17 16:58:00

例如Uo=(1+R2/R1)*1.25+Iw*R2,其中Uo=3.3V，那么是不是只要取R2/R1接近于1.64的就可以了，例如R2=18,R1=11;或R2=180,R1=110等等

tomfeng · 发表于 2006-7-18 09:12:00

取样电阻一般芯片datasheet会给出推荐数值,主要考虑ibias以及功耗的影响.

cocoa · 发表于 2006-7-18 14:00:00

例如：对于LM317，PD = (VIN − VOUT) *IL + VIN*IG，其中IL =Ibias,如果知道PD ，就可以求出IG，然后就可以知道电阻的值了吗？但是PD是怎么算的？是LM317后面电路的功率消耗吗？与温度有关吗？

tomfeng · 发表于 2006-7-18 17:34:00

我说的功耗指的是电阻的功耗，18/11 180/110 组合电阻本身功耗不一样的。如果输出电压高的话，功耗就可观了。
采用LM317的系统，一般对功耗、电压精度要求不高吧，因此只要考虑LM317本身是否可以承受就可以了

cocoa · 发表于 2006-7-21 08:46:00

这个功耗的值是多少，可以举个例子吗？谢谢

starzhang · 发表于 2006-7-27 13:00:00

Vout*Vout/(R1+R2)就是发热功耗,如果电阻R1+R2小的话,那么势必会增加整个系统的耗电流!
如果对于便携式产品来说,是致命的!

cocoa · 发表于 2006-8-1 11:15:00

ibias是怎么一回事啊？是不是如果后面电路要求几毫安，那么iout就等于几毫安啊

艺儿 · 发表于 2006-8-2 14:51:00

这对便携产品真受不了的吗？

wemass · 发表于 2006-8-8 17:08:00

Vout*Vout/(R1+R2)就是发热功耗,以后要多多注意！！！

wsgl-10 · 发表于 2006-8-22 19:56:00

datasheet上会给出推荐数值，一般有个数值范围，至于选值多少，要考虑到电阻上的耗电流，计算公式datasheet上也会给出的

efesco · 发表于 2006-8-28 12:52:00

同不会算，也没看懂上面说的，哪位大侠可以说的具体一点吗？

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