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[讨论] ldo的取样电阻值怎么确定?

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发表于 2006-7-17 16:58:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
例如Uo=(1+R2/R1)*1.25+Iw*R2,其中Uo=3.3V,那么是不是只要取R2/R1接近于1.64的就可以了,例如R2=18,R1=11;或R2=180,R1=110等等
发表于 2006-7-18 09:12:00 | 显示全部楼层
取样电阻一般芯片datasheet会给出推荐数值,主要考虑ibias以及功耗的影响.
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 楼主| 发表于 2006-7-18 14:00:00 | 显示全部楼层
例如:对于LM317,PD = (VIN − VOUT) *IL + VIN*IG,其中IL =Ibias,如果知道PD ,就可以求出IG,然后就可以知道电阻的值了吗?但是PD是怎么算的?是LM317后面电路的功率消耗吗?与温度有关吗?
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发表于 2006-7-18 17:34:00 | 显示全部楼层
我说的功耗指的是电阻的功耗,18/11 180/110 组合电阻本身功耗不一样的。如果输出电压高的话,功耗就可观了。
   采用LM317的系统,一般对功耗、电压精度要求不高吧,因此只要考虑LM317本身是否可以承受就可以了
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 楼主| 发表于 2006-7-21 08:46:00 | 显示全部楼层
这个功耗的值是多少,可以举个例子吗?谢谢
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发表于 2006-7-27 13:00:00 | 显示全部楼层
Vout*Vout/(R1+R2)就是发热功耗,如果电阻R1+R2小的话,那么势必会增加整个系统的耗电流!
如果对于便携式产品来说,是致命的!
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 楼主| 发表于 2006-8-1 11:15:00 | 显示全部楼层
ibias是怎么一回事啊?是不是如果后面电路要求几毫安,那么iout就等于几毫安啊
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发表于 2006-8-2 14:51:00 | 显示全部楼层
这对便携产品真受不了的吗?
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发表于 2006-8-8 17:08:00 | 显示全部楼层
Vout*Vout/(R1+R2)就是发热功耗,以后要多多注意!!!
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发表于 2006-8-22 19:56:00 | 显示全部楼层
datasheet上会给出推荐数值,一般有个数值范围 ,至于选值多少,要考虑到电阻上的耗电流,计算公式datasheet上也会给出的
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发表于 2006-8-28 12:52:00 | 显示全部楼层
同不会算,也没看懂上面说的,哪位大侠可以说的具体一点吗?
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