电源管理的高手，来讨论一下电池保护电路的问题，急！！！！

creese_fu

[upload=jpg]UploadFile/2006-4/06424@52RD_sdf.JPG[/upload]
看我所上传的电路图，我在B＋和B-加5V的电压，为什么我量B-和P-之间有0.2V的电压，按照电池保护电路的原理，电池电压5V, CO输出高电平，管子关断。这就是电池的过压保护。B-和P-之间的0.2V 什么电压呢？难道是场效应管的压降????期待答案！！！
还有那位高手知道，电池过压保护延时时间是怎么测试的???
欢迎大家积极讨论，

creese_fu

<P>当正常工作时，CMOS 管的导通压降可以忽略吗？</P>

yzwting

<P>0.2V </P>

yzwting

<P>你这个图从哪里随便搞过来的,我可能见过这张图不下N次了.你用的是哪个IC?</P><P>测试的条件是什么?</P>

bo911

关注中，期待高手出来指点迷津

fox_mice

<P>guan  zhu          i ng</P>

kukyxu

<P>测试条件是什么 以及外部测试电路</P>

gammacomm

过充保护了，但是放电MOS仍是通的。

marshalzhu

看规格书什么都明白了！

soloner

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husailing

mos管中二极管的截止电压吧

wangzhanling

大家多多提出宝贵意见

mingly

感觉应该是过流保护了，这样双mosfet器件的左边的mosfet通过体二极管效应使得Vgd为二极管压降，而右边的mosfet因为CO脚为低而导通，这样你测得的B－和P－的压降基本为左边mosfet的体二极管压降。你可以在P－之后串接一个小电阻用示波器观测上头的电压信号，看是不是有突然的大电流出现过

keyeslee

图中是Nmos 当过充保护后Co出低, 可以解释是右边的二极体的压降,但正常的是0.7V.具体还要看测试环境,你可能测的CO对B-把

expertwu

锂电池保护板动作原理
下图是锂电池保护版的方块图:(1S1P，一次保护)

    * a点: 过放电保护，MOSFET控制输出。
    * b点: 过充电保护，MOSFET控制输出。
    * c点: 保护板电源供应地端及基准电压。
    * d点: 过放电流侦测检出端。
    * e点: 保护回路电源供应及过电压检出端。
    * 温度侦测:电池温度侦测。
    * 识别:电池种类、型式判别。

锂电池保护板只针对以下情况作保护:

    * 过电流 -- 放电电流超过所设定的最大值。
    * 过放电 -- 因放电使电池电压底于电池保护电压。
    * 过充电 -- 因充电使电池电压高于电池保护电压。
    * 短路   -- 正负极短路保护。

保护线路对大电流充电保护并不实用，(以规格实际换算)，所以充电电流如过大，此保护板还是不会有动做(约要20A以上才会动作，SEIKO IC规格)，需有其它装置对这点做保护如FUES等等。(锂电池内部有些有做限流保护，通常在大容量CELL上)

保护板动作原理:

    * 温度侦测:电池温度侦测，是否超出使用温度范围。
    * 识别:用来让手机或电子装置识别电池PACK种类。
    * 上图中的保护线路控制MOSFET的ON、OFF，MOSFET在此是当成开关来使用，而且是双向导通，让电可以放出去也可以充进来。
    * 过放电流动作:
          o MOSFET当导通时会有一很小的内阻，侦测过电流就是使用他的内阻来做侦测，所以最大放电电流的大小跟MOSFET的内阻有关，其公式为

          o I(过电流值)=VM(保护IC设计侦测电压)/2*RDSON(MOSFET内阻) 当放电电流过大时，由d点侦测电压大小，高于设计时，保护IC就从a点送出关闭MOSFET信号，切断电源。
    * 过充电、放电动作:
          o 充电:
                + 当充电时，电流由V+流进，电池电压就会上升，当电压上升到最高保护电压时，由e点侦测到，保护IC就从b点送出关闭MOSFET信号，切断电源。
          o 放电:
                + 当放电时，电流由V+流出，电池电压就会下降，当电压下降到最低保护电压时，由e点侦测到，保护IC就从a点送出关闭MOSFET信号，切断电源。
    * 短路保护:
          o 当正负极短路时，两+-端电压过低于1.3V，由C点侦测到，保护IC就从b点送出关闭MOSFET信号，切断电源。
    * 保护IC的功能也不尽相同，所谓"0V充电"，是指当电池电压为0V时，还能让电充进来，不过这个功能只用在某些CELL上，且当电池过放电后，需先用后小电流预充电，等高于3V时再切换到快充。


[upload=jpg]UploadFile/2007-1/07119@52RD_BP.JPG[/upload]

gch666

我有一个新方案  是保护IC把两个MOSFET集成,IC周围只许一个电容即可,不知有没有兴趣?


高    13963937383

gch666

我有一个集成了MOSFET的保护电路芯片,整体成本降低,外部电路简单,有需要可以找我!

13963937383  高

wgrecall

我也有,呵呵