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[讨论] 电源管理的高手,来讨论一下电池保护电路的问题,急!!!!

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发表于 2006-4-24 19:28:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
[upload=jpg]UploadFile/2006-4/06424@52RD_sdf.JPG[/upload]
看我所上传的电路图,我在B+和B-加5V的电压,为什么我量B-和P-之间有0.2V的电压,按照电池保护电路的原理,电池电压5V, CO输出高电平,管子关断。这就是电池的过压保护。B-和P-之间的0.2V 什么电压呢?难道是场效应管的压降????期待答案!!!
还有那位高手知道,电池过压保护延时时间是怎么测试的???
欢迎大家积极讨论,

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 楼主| 发表于 2006-4-24 19:45:00 | 显示全部楼层
<P>当正常工作时,CMOS 管的导通压降可以忽略吗?</P>
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发表于 2006-5-2 10:28:00 | 显示全部楼层
<P>0.2V </P>
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发表于 2006-5-2 10:31:00 | 显示全部楼层
<P>你这个图从哪里随便搞过来的,我可能见过这张图不下N次了.你用的是哪个IC?</P><P>测试的条件是什么?</P>
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发表于 2006-5-11 15:50:00 | 显示全部楼层
关注中,期待高手出来指点迷津
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发表于 2006-5-17 15:31:00 | 显示全部楼层
<P>guan  zhu          i ng</P>
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发表于 2006-5-17 23:47:00 | 显示全部楼层
<P>测试条件是什么 以及外部测试电路</P>
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发表于 2006-9-21 11:41:00 | 显示全部楼层
过充保护了,但是放电MOS仍是通的。
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发表于 2006-9-28 14:41:00 | 显示全部楼层
看规格书什么都明白了!
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发表于 2006-9-29 01:59:00 | 显示全部楼层
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发表于 2006-11-22 14:45:00 | 显示全部楼层
mos管中二极管的截止电压吧
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发表于 2006-11-23 07:11:00 | 显示全部楼层
大家多多提出宝贵意见
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发表于 2006-11-23 09:35:00 | 显示全部楼层
感觉应该是过流保护了,这样双mosfet器件的左边的mosfet通过体二极管效应使得Vgd为二极管压降,而右边的mosfet因为CO脚为低而导通,这样你测得的B-和P-的压降基本为左边mosfet的体二极管压降。你可以在P-之后串接一个小电阻用示波器观测上头的电压信号,看是不是有突然的大电流出现过
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发表于 2007-1-18 18:08:00 | 显示全部楼层
图中是Nmos 当过充保护后Co出低, 可以解释是右边的二极体的压降,但正常的是0.7V.具体还要看测试环境,你可能测的CO对B-把
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发表于 2007-1-19 13:17:00 | 显示全部楼层
锂电池保护板动作原理
下图是锂电池保护版的方块图:(1S1P,一次保护)

    * a点: 过放电保护,MOSFET控制输出。
    * b点: 过充电保护,MOSFET控制输出。
    * c点: 保护板电源供应地端及基准电压。
    * d点: 过放电流侦测检出端。
    * e点: 保护回路电源供应及过电压检出端。
    * 温度侦测:电池温度侦测。
    * 识别:电池种类、型式判别。

锂电池保护板只针对以下情况作保护:

    * 过电流 -- 放电电流超过所设定的最大值。
    * 过放电 -- 因放电使电池电压底于电池保护电压。
    * 过充电 -- 因充电使电池电压高于电池保护电压。
    * 短路   -- 正负极短路保护。

保护线路对大电流充电保护并不实用,(以规格实际换算),所以充电电流如过大,此保护板还是不会有动做(约要20A以上才会动作,SEIKO IC规格),需有其它装置对这点做保护如FUES等等。(锂电池内部有些有做限流保护,通常在大容量CELL上)

保护板动作原理:

    * 温度侦测:电池温度侦测,是否超出使用温度范围。
    * 识别:用来让手机或电子装置识别电池PACK种类。
    * 上图中的保护线路控制MOSFET的ON、OFF,MOSFET在此是当成开关来使用,而且是双向导通,让电可以放出去也可以充进来。
    * 过放电流动作:
          o MOSFET当导通时会有一很小的内阻,侦测过电流就是使用他的内阻来做侦测,所以最大放电电流的大小跟MOSFET的内阻有关,其公式为

          o I(过电流值)=VM(保护IC设计侦测电压)/2*RDSON(MOSFET内阻) 当放电电流过大时,由d点侦测电压大小,高于设计时,保护IC就从a点送出关闭MOSFET信号,切断电源。
    * 过充电、放电动作:
          o 充电:
                + 当充电时,电流由V+流进,电池电压就会上升,当电压上升到最高保护电压时,由e点侦测到,保护IC就从b点送出关闭MOSFET信号,切断电源。
          o 放电:
                + 当放电时,电流由V+流出,电池电压就会下降,当电压下降到最低保护电压时,由e点侦测到,保护IC就从a点送出关闭MOSFET信号,切断电源。
    * 短路保护:
          o 当正负极短路时,两+-端电压过低于1.3V,由C点侦测到,保护IC就从b点送出关闭MOSFET信号,切断电源。
    * 保护IC的功能也不尽相同,所谓"0V充电",是指当电池电压为0V时,还能让电充进来,不过这个功能只用在某些CELL上,且当电池过放电后,需先用后小电流预充电,等高于3V时再切换到快充。


[upload=jpg]UploadFile/2007-1/07119@52RD_BP.JPG[/upload]

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发表于 2007-2-2 18:02:00 | 显示全部楼层
我有一个新方案  是保护IC把两个MOSFET集成,IC周围只许一个电容即可,不知有没有兴趣?


高    13963937383
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发表于 2007-4-24 16:45:00 | 显示全部楼层
我有一个集成了MOSFET的保护电路芯片,整体成本降低,外部电路简单,有需要可以找我!

13963937383  高
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发表于 2007-4-26 10:13:00 | 显示全部楼层
我也有,呵呵
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