基于高锋均比信号的高级doherty架构的研究

txdy · 发表于 2010-12-22 17:31:46

3W确实是一种比较好的解决方式，但是缺点在于成本较高，面积较大，
我比较关心的是

以下是引用sunwanderer在2010-10-28 23:39:27的发言：
后面的三路，好像是NXP的？
三路，就是一个鸡肋，看起来对于调制信号挺高，但由于功率管本身的缺陷（特别是有些LDMOS，GaN好一些），多路doherty的合路插损较大，不是很容易在现实中应用。

这是什么意思？能不能具体分析下和路差损大在哪里？还有本身的缺陷是什么意思？

NRPAE · 发表于 2011-4-22 11:27:09

两个两路合成，成本更高，尺寸更大！而且doherty合成损耗多大，这是个不可轻视的问题！我也见过有做出来的，但是效果比较不好！

所以这是讨论3路的原因了。

Claudi · 发表于 2011-4-21 17:09:42

如果peak power要求超过1000W，最好使用两个两路doherty的合起来，见过这种设计的。
图示结构又是调栅压又是ET的，好复杂，感觉如果单纯为了做板子而做出一块这种板，花时间去调不是说不可以，但是做产品的话可行性真的太差。主要问题就是一致性和校正的难度。

keithwoo · 发表于 2011-4-21 13:39:31

IEEE论文又这么样？难道就不能质疑？栅压自举我没接触过，刚才放狗搜了一把，貌似就是通过电容和二极管把电压抬上去，在怎么也就是个改变栅压的方法，我不管栅压通过什么方式变，升栅压，偏置电流提升，管子由C类向AB，B类转变，增益提高，效率降低，这是个基本规律，而且是经过doherty电路中验证过的。而且你说的自举电路如果用到电容的充放电的话，你考虑过没有，充放电的时间如何跟得上高峰均比的信号包络的变化？这也是在包络跟踪中一个难点。

NRPAE · 发表于 2011-4-21 10:48:44

嗯，楼上提出的某些问题确实需要实践去证明。但是既然这个出自IEEE论文，我想作者没必要去在一些小地方搞假！

至于“peak栅压必须跟着调上去，那电路整体的效率必然往下降”这句话，我不敢苟同！为什么呢？你去好好想想吧。不知楼上是否知道珊压自举的现象？

keithwoo · 发表于 2011-4-21 01:09:26

再看了下增益曲线，貌似不是ET，作者栅极电压控制的方式正好和ET相反，也就是说作者发现增益掉的太厉害了，人为的去调栅压，这就带来个问题，要把增益调上去，peak栅压必须跟着调上去，那电路整体的效率必然往下降，但图上却是涨得。嘿嘿，这里面肯定有名堂啊。

keithwoo · 发表于 2011-4-21 00:55:14

就楼主这种分享精神赞楼主一个先，对楼主贴的3路doherty还是有些话要说的：首先，这个电路一看就是学院派的作品，可复制性相当的差，你看看那些螺丝，都贴在微带线边缘了，不客气的说，那些螺丝多拧一圈可能电路的性能都要变，还有那些offset线阵列，排的之近，不怕耦合吗？而且调试offset线的长度是相当敏感的，这个layout里的offset线可动的地方太少，(虽然它也有）能用这个电路把doherty调出来，我只能说该篇文章的作者运气太好了。（亦或者动了什么歪脑筋）。相比楼主贴的另一个NXP的图就靠谱多了。还有一个最最关键的问题就是这个电路的Gain曲线，竟然在peak device工作时增益陡降5，6个点，这要什么DPD才能校准的过来哦。同时试问这个PA的饱和功率点算P几dB呢？虽然加了ET貌似好了很多，但是ET加进去，DPD能教过来吗？我对ET了解不多，但持怀疑态度，因为系统越复杂，影响DPD的因素越多，DPD应该就越南校。其他神马成本尺寸的问题就不分析了，很多兄弟都讲过了.由于通篇文章没看过，所以不好下最终结论，不过从楼主的描述来看，初步印象是这个电路比较水。

NRPAE · 发表于 2011-4-20 18:54:12

这里我们更关注的是高峰均比，高峰值功率情况下的应用。在6db回退的时候，几种方式差别不明显。但是峰均比大于8db，甚至12db，peakpower甚至要求1000W，两路就不好办了，至少要两个300W的管子。而管子越大，Rf性能会下降。3路就是解决这个问题的。当然你也可以选折50伏的器件。

Claudi · 发表于 2011-4-20 14:00:18

以前听过NXP的工程师介绍这种专利的三路Doherty，个人感觉设计上比较有新意，但实际项目的应用上意义并不大。首先现在的功放绝大多数工作在系统中都是要求一定功率输出的，回退量固定。所以6dB/9dB/12dB回退处取得三个最大效率点其实没有必要。只要能抓住输出功率处的效率就可以了，所以两路Doherty是可以实现的。关键是往往两路Doherty都比三路Doherty校准容易，其实这个也是很容易理解的了。

zltogo · 发表于 2011-4-29 14:13:07

楼上说的是下面这种结构吗？两个 * pushpull的管子做的doherty的合成。峰值功率接近900W，8dB回退效率48%。NXP BLF6G10L-260PRN, 920-960Mhz
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yuyouling84 · 发表于 2011-4-29 13:50:03

以下是引用NRPAE在2011-4-22 11:27:09的发言：
两个两路合成，成本更高，尺寸更大！而且doherty合成损耗多大，这是个不可轻视的问题！我也见过有做出来的，但是效果比较不好！

所以这是讨论3路的原因了。

这边已经有两个两路合成的产品在市面上，相对于做的替代方案而言成本和尺寸基本上可以持平的。doherty合成比单管一般降1-1.5左右的增益因为管子小增益相对也可以做到高一些。不过多两个3dB桥感觉挺不爽，又不得不用。反正这个方案不能一棍子打死，有些情况下还是很可取的。[em12]

yuyouling84 · 发表于 2011-4-29 13:32:42

刚才发现，占座～边上同事正在调3-way，对照着研究下～[em14]

enc_operator · 发表于 2011-5-19 00:16:54

楼主科研的精神值得大家学习。3-way Doherty已经广泛应用了。

Alan_pann · 发表于 2011-5-17 23:47:49

以下是引用keithwoo在2011-4-21 1:09:26的发言：
再看了下增益曲线，貌似不是ET，作者栅极电压控制的方式正好和ET相反，也就是说作者发现增益掉的太厉害了，人为的去调栅压，这就带来个问题，要把增益调上去，peak栅压必须跟着调上去，那电路整体的效率必然往下降，但图上却是涨得。嘿嘿，这里面肯定有名堂啊。

这篇文章的作者对比两个条件的下的增益，应该只是想强调 with GA 模式下的好处。

如果真是做一个三路Doherty （without GA），有些方法会规避这个问题增益掉的问题。
一个简单的方法就是 FSL也用过的（在MRF8S21120H + MRF8S21230H Doherty中）你懂的 ...[em01]

Alan_pann · 发表于 2011-5-17 23:27:50

以下是引用keithwoo在2011-4-21 0:55:14的发言：
就楼主这种分享精神赞楼主一个先，对楼主贴的3路doherty还是有些话要说的：首先，这个电路一看就是学院派的作品，可复制性相当的差，你看看那些螺丝，都贴在微带线边缘了，不客气的说，那些螺丝多拧一圈可能电路的性能都要变，还有那些offset线阵列，排的之近，不怕耦合吗？而且调试offset线的长度是相当敏感的，这个layout里的offset线可动的地方太少[/COLOR]，(虽然它也有）能用这个电路把doherty调出来，我只能说该篇文章的作者运气太好了。（亦或者动了什么歪脑筋）。相比楼主贴的另一个NXP的图就靠谱多了。还有一个最最关键的问题就是这个电路的Gain曲线，竟然在peak device工作时增益陡降5，6个点，这要什么DPD才能校准的过来哦。同时试问这个PA的饱和功率点算P几dB呢？虽然加了ET貌似好了很多，但是ET加进去，DPD能教过来吗？我对ET了解不多，但持怀疑态度，因为系统越复杂，影响DPD的因素越多，DPD应该就越南校。其他神马成本尺寸的问题就不分析了，很多兄弟都讲过了.由于通篇文章没看过，所以不好下最终结论，不过从楼主的描述来看，初步印象是这个电路比较水。

那些螺丝多拧一圈可能电路的性能都要变，还有那些offset线阵列，排的之近，不怕耦合吗？而且调试offset线的长度是相当敏感的，这个layout里的offset线可动的地方太少[/COLOR]

很中肯，年轻人应该学习....

Alan_pann · 发表于 2011-5-17 23:25:51

以下是引用keithwoo在2011-4-21 13:39:31的发言：
IEEE论文又这么样？难道就不能质疑？栅压自举我没接触过，刚才放狗搜了一把，貌似就是通过电容和二极管把电压抬上去，在怎么也就是个改变栅压的方法，我不管栅压通过什么方式变，升栅压，偏置电流提升，管子由C类向AB，B类转变，增益提高，效率降低，这是个基本规律，而且是经过doherty电路中验证过的。而且你说的自举电路如果用到电容的充放电的话，你考虑过没有，充放电的时间如何跟得上高峰均比的信号包络的变化？这也是在包络跟踪中一个难点。

以前调试Doherty的时候，
如果是FSL第六代的器件，
当输出功率大到Peak路开始工作的时候，这个时候用万用表去测量Peak路的偏置电压，你会发现它比你设置的偏置电压高。
输出功率越大，量得的偏置电压越高。
如果是FSL第八代的器件，
这个现象不明显。

这主要是由于静电保护电路的电路形式不同造成的。第八代的采用双向的静电保护电路。
其实个人感觉，静电防护的能力差不多。唯一的好处是，你可以将其偏置到0V以下。

我觉得老的单向静电保护电路的形式更好，就是因为有这种自偏置效果在里面。
1. 它不影响在6dB以上回退输出条件下的效率。因为自偏置效应还很小，或没有。
2. 当大功率输出的话，这样Peak路，有点从C类往AB类靠近的意思，这样有可能提高PeakPower。

yuyouling84 · 发表于 2011-5-17 12:42:14

嗯嗯 94这种还尝试过用这种结构做2.6G的但没用前面的三个电桥直接低阻抗匹配，结果是样机还可以，批量惨不忍睹。。就乖乖用电桥了～

hui_20 · 发表于 2012-8-15 01:17:30

mark下

avaible · 发表于 2012-8-12 08:32:38

[em12]LZ用的是什么软件仿出来的？

2008jhchen · 发表于 2012-8-11 17:06:13

谈论很详细啊。

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