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[讨论] 请帮忙解释下page mode flash 和burst mode flash的工作机理及区别

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发表于 2007-10-9 09:56:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题!
欢迎大家给出详细解释!
发表于 2007-10-9 11:43:58 | 显示全部楼层
我也想知道,详细点的
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 楼主| 发表于 2007-10-9 13:49:03 | 显示全部楼层
怎么没人来解答一下啊
高手帮帮忙啊
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 楼主| 发表于 2007-10-9 18:59:40 | 显示全部楼层
自己挖掘
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发表于 2007-10-9 19:11:05 | 显示全部楼层
说白了,page或者burst和一般存取方式的区别就是一个预缓存模式。
  当你对memory读取一个字节的时候,如果是page模式,那么memory芯片本身会把这个字节所属page的所有东西在后台往缓存里面搬,如果要接着读取同一个page里面的东西,所需要的读取等待时间就少一些。
  burst模式有点类似 ,不同的是page的长度和开始位置都是死的,而burst的长度和开始位置都可变,也更加灵活。
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 楼主| 发表于 2007-10-10 10:07:40 | 显示全部楼层
多谢版主讲解,通俗易懂

我查了相关资料,对于page和burst相对standard divice是有个相同本质的改变,那就是预缓存模式,我的理解也就是它采取的是小范围的寻址方式。对于page 和burst 两种模式的区别来说,基本可以说是burst在speed和存取灵活度方面做了改进。在performance方面,standard device、page mode 、burst mode 是不断提高的,当然  complexity也是不断增加的.
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发表于 2010-7-20 11:43:19 | 显示全部楼层
刚好在找这个问题,有点明白了。多谢各位高手。
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发表于 2011-7-1 12:50:27 | 显示全部楼层
正求解,谢谢。[em01]
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