找回密码
 注册
搜索
查看: 5527|回复: 21

[资料] 高频下电容使用的经验和原则(精品)

[复制链接]
发表于 2007-9-28 15:38:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
绝对是精品,物超所值啊
【文件名】:07928@52RD_高频下电容使用的经验和原则.doc
【格 式】:doc
【大 小】:52K
【简 介】:
【目 录】:


本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
发表于 2007-9-28 16:07:33 | 显示全部楼层
GOOD[em08][em08]
点评回复

使用道具 举报

发表于 2007-9-30 08:37:46 | 显示全部楼层
vbkgm[em03][em03][em03]
点评回复

使用道具 举报

发表于 2008-2-16 13:59:51 | 显示全部楼层
很好,真不错[em01]
点评回复

使用道具 举报

发表于 2008-2-16 23:09:47 | 显示全部楼层
http://www.52rd.com/bbs/Dispbbs.asp?BoardID=101&ID=99981&page=24
点评回复

使用道具 举报

发表于 2008-2-19 14:16:08 | 显示全部楼层
没有币了!!!!
点评回复

使用道具 举报

发表于 2009-4-4 19:57:55 | 显示全部楼层
1.14.1、退藕电容的一般配置原则
1. 电源输入端跨接10 ~100uf的电解电容器。如有可能,接100uf以上的更好。
2. 原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片电容,如遇印制板空隙不够,可每4~8个芯片布置一个1 ~ 10pf的但电容。
3. 对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件,如 ram、rom存储器件,应在芯片的 电源线和地线之间直接入退藕电容。
 4、电容引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线。此外,还应注意以下两点:
a、 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时.操作它们时均会产生较大火花放电 ,必须采用附图所示的 rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k,c取2.2 ~ 47uf。
b、 cmos的输入阻抗很高,且易受感应,因此在使用时对不用端要接地或接正电源。
由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚,而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。这样,电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离带造成的。这种情况下的电压波动将主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。
   为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲,应该为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。
  当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时,其平滑毛刺的效果最好。这就是为什么有一些器件插座上带有去耦电容,而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。
去耦电容配置的一般原则如下:
● 电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
● 为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片配置一个1~10uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,而且漏电流很小(0.5uA以下)。
● 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。
● 去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。
● 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时.操作它们时均会产生较大火花放电,必须RC 电路来吸收放电电流。一般 R 取 1 ~ 2K,C取2.2 ~ 47UF。
● CMOS的输入阻抗很高,且易受感应,因此在使用时对不用端要接地或接正电源。
● 设计时应确定使用高频低频中频三种去耦电容,中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF;高频电容计算为: C=P/V*V*F。
● 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。
● 用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。使用管状电时,外壳要接地。
1.14.2、配置电容的经验值
好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时,每个集成电路的电源,地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能;另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用,对40MHz以上的噪声
..........
点评回复

使用道具 举报

发表于 2009-8-12 17:44:33 | 显示全部楼层
[em01]
点评回复

使用道具 举报

发表于 2009-8-16 14:39:53 | 显示全部楼层
[em02][em02][em02]
点评回复

使用道具 举报

发表于 2009-8-17 21:28:41 | 显示全部楼层
東西是不錯,可是好貴啊
点评回复

使用道具 举报

发表于 2009-8-18 21:37:03 | 显示全部楼层
还是有好同志
点评回复

使用道具 举报

发表于 2009-8-20 09:45:36 | 显示全部楼层
学习...........
点评回复

使用道具 举报

发表于 2011-10-6 00:34:45 | 显示全部楼层
OH,这么贵,,,,,,,,,,,,,,,,
点评回复

使用道具 举报

发表于 2012-3-4 21:53:59 | 显示全部楼层
支持免费
点评回复

使用道具 举报

发表于 2013-4-5 08:24:13 | 显示全部楼层
好资料
点评回复

使用道具 举报

发表于 2013-4-5 10:47:10 | 显示全部楼层
资料是好资料,不过好贵啊!咬牙下了
点评回复

使用道具 举报

发表于 2015-3-25 15:43:40 | 显示全部楼层

咬牙下了
点评回复

使用道具 举报

发表于 2015-4-10 22:35:42 | 显示全部楼层
thanks a  lot ,good
点评回复

使用道具 举报

发表于 2015-5-24 21:02:42 | 显示全部楼层
嗯!最近要学的很多  
点评回复

使用道具 举报

发表于 2016-5-3 14:42:43 | 显示全部楼层
略贵 略过   赚钱
点评回复

使用道具 举报

高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|52RD我爱研发网 ( 沪ICP备2022007804号-2 )

GMT+8, 2024-12-27 10:05 , Processed in 0.048539 second(s), 17 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表