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[讨论] 请问ESD防护中有用电容的吗

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发表于 2007-9-20 23:52:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
在一个设计中看到有部分ESD防护的器件使用耐压50v 33pf的电容
请问有这样的用法吗?
它和Varistor等其它防ESD器件有什么不同?
谢谢
发表于 2007-11-15 17:04:35 | 显示全部楼层
这样的是不是用在类似天线与PA之间的和一个电感一起组成一个滤波网络同时具有ESD作用,好像这样的ESD效果还不差,可以抗比较高的电压。
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 楼主| 发表于 2007-9-24 14:03:36 | 显示全部楼层
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发表于 2007-10-1 19:34:03 | 显示全部楼层
用处不大,此处的电容主要用来做EMI用[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-10-8 16:27:50 | 显示全部楼层
会不会是防止TDMA noise 的啊?

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在手机设计中,对于低频的模拟电路,象MIC或音频放大电路,都会用小电容来抑制手机的RF干扰。这是利用小电容在这些RF频点上的低阻抗来过滤RF干扰信号。象MIC上经常会并上三个小电容,分别抑制900M,1800M,2.4G三个..  发表于 2016-2-4 10:00
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发表于 2007-10-8 17:16:58 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>applewn</I>在2007-9-20 23:52:39的发言:</B>
在一个设计中看到有部分ESD防护的器件使用耐压50v 33pf的电容
请问有这样的用法吗?
它和Varistor等其它防ESD器件有什么不同?
谢谢</DIV>


你若确认是防ESD的话,那么他可能就是一次性的,击穿后的效果会变差的跟SPARK差不多,而且ESR和ESL一定很低才会起作用.
个人的一点拙见![/COLOR]
[em01][br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-10-15 17:25:18 | 显示全部楼层
很少看到用这么小的电容,一般多数用0。1U的,或者是用二极管!
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发表于 2007-10-18 13:51:46 | 显示全部楼层
ESD上升速度很快,电容是反应不过来的,还是要是用瞬态抑制器件的。至于33PF电容,正如3楼所说,是做EMI用的,用来抑制高频的杂讯。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

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陶瓷电容的反映速度还是很快的,加上线路一般都有寄生电感,在低速电路上用电容,是可以有效抑制ESD的。但是必须要注意ESD电流流入或流出导致在电容上充电或放电引起的电压变化,这个变化不能此起电路的损坏或工...  发表于 2016-2-4 09:57
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发表于 2007-10-18 18:22:39 | 显示全部楼层
有用電容的吧,我們老大解ESD基本上都是上電容的,上了后就強了很多.
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 楼主| 发表于 2007-11-5 13:04:26 | 显示全部楼层
那帮我问一下你们老大 是什么原理呢?

容值如何选择?

多谢了

还有其他高手能分享一下经验吗
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发表于 2007-11-5 14:29:03 | 显示全部楼层
用电容影响是很大的,因为静电就是一种宽频信号,用电容是为静电提供一条更好的释放路径,不要耦合到敏感电路,而加diode和varistor是为了阻碍高压静电耦合到电路中去的,原理上不相同的!

一点拙见啊!我记得之前用过带ESD功能的电容,是把电容和二极管封装在一起[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-11-7 12:08:17 | 显示全部楼层
ESD可以采用阻容感器件进行防护,原理如下:
1、静电就是一种宽频信号,但是能量主要集中在几K到几百兆HZ之间,且低频处能量较高,随着频率的增高能量逐步减小;
2、有用信号在ESD频谱之外时,就可以采用R/L/C器件组成滤波器或者衰减网络形成ESD防护。
优点:
1、不用考虑结电容问题,应用高频RF等。
缺点:
1、对有用的信号也是衰减作用。
但是楼主所说的采用单个33pF的电容进行防护,我还没有见过(一般都大于0.01uF)[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-12-15 10:11:07 | 显示全部楼层
33pf 是用来防EMI的,因为这个容值正好吸收1GHZ左右的信号,当然有些防ESD的器件正好做到ESL 33PF,这样即可防ESD,又可防EMI更好
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发表于 2007-12-16 16:58:14 | 显示全部楼层
小容量电容吸收的能量有限,且易被静电充电而过压击穿损坏。还是半导体器件速度及能量吸收强,如能配合上结电容就如13楼所讲,一取两得。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-12-21 15:22:30 | 显示全部楼层
没有用[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-12-23 19:02:23 | 显示全部楼层
讲得很专业
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发表于 2008-2-26 22:10:07 | 显示全部楼层
最近我提了份9325芯片的图,在pad里面加了很多的电容,其总的值计算后,有100pf,
芯片级放电最差能过2,系统级放电,8k无白频,
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发表于 2008-2-28 09:58:01 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>ownren</I>在2007-10-15 17:25:18的发言:</B>
很少看到用这么小的电容,一般多数用0。1U的,或者是用二极管!</DIV>


因为是ESD用,越小放电越快.楼主说的情况不知道是不是手机成本要求非常低,或者就是方案后来做的改动? 一点拙见.
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发表于 2008-3-9 21:29:47 | 显示全部楼层
我有用过,效果很好,本来13就挂了,用了就可以打到20,主要是你摆防的位置要对才会有效啊[em02][em02]
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发表于 2008-3-11 08:33:33 | 显示全部楼层
加电容有一定的效果,不过电容的寿命不怎么好.

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为什么会不好呢?只要ESD放电瞬间的电流抑制一下,并且确保电容量足够大,充放电后电压在电容承受的范围内,寿命不会有问题的。所以一般用电容作ESD抑制时,一般要加阻性或感性元件,抑制瞬间电流  发表于 2016-2-4 10:05
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