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阻抗：指含有电阻、电感和电容的电路里，对交流电所起的阻碍。
电容三点式振荡器（也叫考兹振荡器）：自激振荡器的一种。由串联电容与电感回路及正反馈放大器组成。因振荡回路两串联电容的三个端点与振荡管三个管脚分别相接而得名。

环路滤波器：具有以下两种作用的低通滤波器：在鉴相器的输出端衰减高频误差分量，以提高抗干扰性能；在环路跳出锁定状态时，提高环路以短期存储，并迅速恢复信号。

微分电路：输出电压与输人电压成微分关系的电路，由电阻和电容组成。

vco振荡器：在振荡电路中采用压控元件作为频率控制器件的振荡器，vco是压控振荡器的简称。

最小移频键控（gmsk）：是一种使调制后的频谱主瓣窄、旁瓣衰落快，从而满足gsm系统要求的信道宽度为200khz的要求，节省频率资源的调制技术。

pcm编码（又叫脉冲编码调制）：数字通信的编码方式之一。主要过程是将话音、图像等模拟信号每隔一定时间进行取样，使其离散化，同时将抽样值按分层单位四舍五人取整量化，同时将抽样值按一组二进制码来表示抽样脉冲的幅值。

时分多扯tdma与载频复用技术：gsm系统采用频分复用技术，整个工作频段分为 124对载频，其载频间隔为200khz，双工间隔为45mhz。上行频段（移动台到基站）为890mhz－gl5mhz，下行频段（基站到移动台）为935mhz－960mhz。在上、下行频段中序号为 n（n=l~124）的载频对的频率可用 fu（n）=890＋0.2nmhz（上行）或 fd（n）＝935＋0.2nmhz=fu（n）＋45mhz（下行）。在每个射频信道，gsm系统采用了时分多址接人技术，每个载频按时间划分成tdma帧，其帧长为 4．6ms；每个 tdma帧分割为 8个时隙，时隙长为557 ps。因此在一个载频上可以有8台手机同时工作（一个手机占用一个时隙）。gsm手机在接收发射时使用同样的时隙号，而接收的tdma帧开始时刻相对于发射的tdma帧开始时刻延迟了3个时隙的时间间隔，使时间的接收发射时隙分开，即tdma帧的交错，避免了gsm在同一时间同时接收发射引起的于扰，所以gsm手机没有采用价格昂贵的双工滤波器，从而也降低了成本。

数字信号调制与解调技术：gsm系统为了满足移动通信对邻信道干扰的严格要求，采用高斯滤波最小移频键调制方式（gmsk），这种gmsk调制方式，调制速率为270833kbe，每个时分多址tdma帧占用一个时隙来发送脉冲簇，其脉冲簇的速率为33．86kbo。

抗干扰、抗衰落技术：gsm系统采用循环冗余码对话音数据进行保护，以提高检错和纠错的能力（即信道编码技术）。采用将一个语音帧内的456bit数据分散到相邻的8个时分多址tdma帧中，这样即便丢失一个时分多址tdma帧也可以通过信道编码将其恢复；采用自适应均衡技术解决多径衰落引起的时延扩展导致码元串扰；采用伪随机跳频序列（每秒跳频217次，即每帧跳一次频），解决同频干扰和频率选择性的衰落问题。

语音的编译码技术：gsm系统采用带有长期限的规则脉冲激励线性预测编译码rpeltp方案，将话音划分为20ms一帧的话音块进行编码，产生260bit的话音帧（其编码速率为13kbo）来确保语音质量和提高频谱利用率。

调制：调制就是将音频信号"附加"到高频振荡波上，用音频信号来控制高频振荡的参数。

解调：从已调波中取出音频调制信号的过程称为解调。

振荡器：一种能将直流电转换为具有一定频率交流电信号输出的电路组合。

振荡回路：指由集成总参数或分布参数的电抗元件组成的回路。

锁相环（pll）：是一种实现相位自动锁定的控制系统。它一般有鉴相器、环路滤波器、压控振荡器等部件组成。

d／a转换电路：亦称"数字膜拟转换器"，简称为"数膜转换器"。将数字量转换为其相应模拟量的电路。

a/d转换电路：亦称"模拟数字转换器"，简称''''卞剥敛转换器"。将模拟量或连续变化的量进行量化（离散化），转换为相应的数宇量的电路。

微处理器：计算机系统中能够独立执行程序，完成对数据和指令进行加工和处理的部分。由数据处理部件，指令处理部件，以及存储控制器组成。按执行功能的不同，可分为中央处理器，外围处理器和接口通信处理器等。

存储器：又称"记忆装置"。是微处理器中存放数据和各种程序的装置。是微处理器的一个重要组成部分，由存储单元集合体、地址寄存器、译码驱动电路。读出放大器以及时序控制电路等几部分组成。

滤波：只传输信号中所需要的频谱而滤除其他频谱的一种频率选择技术。其基本形式是利用电感器和电容器的频率电抗特性，将电感、电容适当组合在电路中，组成滤波网络完成频率选择。实际的电感电容网络还可进行频带的传输和抑制。此外，还有应用压电晶体，压电陶瓷及机械振子等组成的谐振滤波器，以及各种有源滤波器。它们具有较强的选频性能，应用也越来越广泛。

声表面滤波器：是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜，然后经光刻，在两端各形成一对叉指形电极组成。当在发射换能器上加上信号电压后，就在输人叉指电极间形成一个电场使压电材料发生机械振动（即超声波）以超声波的形式向左右两边传播，向边缘一侧的能量由吸声材料所吸收。在接收端，由接收换能器将机械振动再转化为电信号，并由叉指形电极输出。

变容二极管：又称"可变电抗二极管"。是一种利用pn结电容（或接触势垒电容儿与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化嫁单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。主要参量是：零偏结电容。零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等，对于不同用途，应选用不同c和vr特性的变容m极管，如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。

yzhg_2005

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