三极管和mos管做开关用时候有什么区别

hennrycai · 发表于 2007-9-10 09:12:03

0.7V是pn结节电压

SteveHall · 发表于 2007-9-11 15:16:12

efficiency: MOS>BJT
recovery speed: MOS>BJT
[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

everset · 发表于 2007-9-19 00:37:12

书上一般都说晶体管是电流控制型，但我认为把它也理解为电压控制型更合理，因为一般都是控制基极的电压来实现的，虽然实际的输出是跟输入的基极的电流大小直接相关的，但毕竟也是通过改变电压来实现的。即使输入到基极的电流来自恒流源，那调节恒流的方法也是通过调节固定电压上的负载来实现，真正起作用的仍然是电压。再说了，只有有了电位差，才会有电流流动。

everset · 发表于 2007-9-26 19:52:26

实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，已npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。

qsh6666 · 发表于 2007-9-28 09:07:42

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>z_xiaojun</I>在2007-9-9 22:46:46的发言：</B>
carlos


等级：高级工程师 :

  一个最简单的理解，你打开了MOS，电平不会改变，你打开了BJT，电平变了0.7V了，就不能再去控制别的地方了
你说的不是很了解,可以具体讲讲吗?

</DIV>

以前我也不明白，后来在一次调试中才理解了，当三极管导通时Vbe间的压降接近于0.7V，因此假设原来基极的高电平为3.3V，导通后基极的电平是否被拉低到0.7V了。因此为了避免驱动端的电平被拉低，一般都在基极串已电阻。

xunluren · 发表于 2012-7-13 13:09:31

受教了。好内容

readlove1 · 发表于 2013-8-23 18:43:24

三极管是电流驱动型,CMOS管是电压驱动,相对而言MOs功耗低.反应速度上三极管快.10楼说的周到.

542246735 · 发表于 2014-2-14 15:23:06

学习[em01]

610670915 · 发表于 2014-6-11 09:04:36

加油狂补知识

joneyoung · 发表于 2014-6-12 16:23:44

还是看具体用在什么地方，在做选择吧！

houcheng · 发表于 2015-12-1 09:22:12

學習了

laizhensen · 发表于 2015-12-19 14:37:55

mos管作为开关管时，由于是电压控制开关的导通与截止，所以并不会由漏电流，mos管导通是电路等同与导线；
三极管作为开关管时，由于是电流控制，要考虑基极电流与电压，而且导通后有压降，而且要考虑三极管的耗散功率。
给个图好好研究。

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