15GHz频综

rfworker · 发表于 2005-12-27 13:32:00

有哪位大虾知道15GHz频综能否做到相噪-95dBc/KHz@1KHz的，DRO可能吗？我想用晶振倍频可能实现吗？

everyday · 发表于 2005-12-27 17:38:00

你应该先估计一下相噪，单就15G的点频，相噪是可以做到<a href="mailt95dBc/Hz@1KHz" target="_blank" >95dBc/Hz@1KHz</A>,但是要看你对10K，100K相噪有没有要求？我做过7.5G的PLL，在1K有100dBc/Hz.[br]+3 RD币

willardjoe · 发表于 2005-12-27 18:58:00

这个难度比较大。

ayuyu · 发表于 2005-12-28 09:27:00

这个技术叫取样锁相，我设计过14.4Ghz的（我的预研课题），phase noise性能很好，优于-95dBc/KHz@1KHz，只是环路上有点问题。高低温不稳定。国外可以做到－110dBC/Hz@1kHz offset.

设计思路是：
设计窄带的VCDRO（要选用高Q值的介质），用100MHz的高稳低噪晶振激励阶跃恢复二级管（恢复时间要尽可能的短）产生梳妆波直到15Ghz，和VCDRO的输出鉴频鉴相做成锁相环路。

晶振倍频的缺点是滤波器太多放大器多，体积大杂散不好控制，我的设计体积只有香烟盒的2/3，100MHz参考外置。
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ftl1015 · 发表于 2005-12-28 13:58:00

ayuyu你是高手啊，希望能跟你多交流

rfworker · 发表于 2005-12-29 10:38:00

真的感谢高手的指点，希望能经常交流，我的email：<a href="mailtrfworker@126.com" target="_blank" >rfworker@126.com</A>，可以留下您的邮件吗，真的很想向您多学习啊！谢谢！

rfworker · 发表于 2005-12-29 11:10:00

不知道两位大侠用的是什么器件啊，型号能告诉我吗，谢谢

ayuyu · 发表于 2005-12-29 12:38:00

这个课题是我在九十年代的课题，这项技术在当时国内很少有报道。主要用的是都国外的模块，高频高稳的锁相源还是前沿的技术，价格昂贵，军事航天用的很多。不知道现在怎么样了。我想先了解一下你的应用背景。不过你先可以参考国外CST做锁相源的厂家。这方面介绍还是比较多的。
我做的只是点频源，如果做频踪，你可以做个低频的频踪，再混频上去。
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ayuyu · 发表于 2005-12-29 12:50:00

这里有些关于VTDRO的信息，你可以参考设计高稳温补DRO
http://www.gedlm.com/DRO/DRO.asp#Phase-Locked-Loop[br]+3 RD币

ayuyu · 发表于 2005-12-29 13:23:00

为了我们的梦想，设计我们自己的高端器件！
VTDRO的设计是关键，要求介质的Q值极高，15GHz 还要考虑电路基板的色散效应，选好的基材。振荡管也要噪声尽可能的低。还有变容管。。。。

http://edaboard.com/ftopic25694.html（里面有片文章自己找一下Phase-Locked DRO Uses a Sampling Phase Detector）

http://edaboard.com/ftopic25694.html

http://www.valjacksonassoc.com/REMEC/VAL%20DRO%20Section/Application%20Notes.pdf

SKYworks 也有 SPD，我当时就用的他家的。

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everyday · 发表于 2005-12-30 09:38:00

我觉得你可以用一个较为简单的方法来实现：谐波混频法＋倍频。你先产生一个2G或者3G的高稳频率点源，这个相噪可以做的很高至少<a href="mailt-115dBc/Hz@1kHz" target="_blank" >-115dBc/Hz@1kHz</A>,你再用一个7.5G的低相噪VCO，与其谐波（6G）下混频后进一个PLL芯片（AD4113,AD4106等等）在去锁7.5GHz的VCO。你再倍频就可以到达15G了。这个方案的特点器件不需要很昂贵，而且原理也较为简单，但是其中有些滤波器指标你要做比较好。而且这个方案是可以实现跳频的，15GHz相噪指标是完全没有问题的！只是如果你的杂散有要求以及10K，100K也有相噪指标，那你就要注意其中的很多细节了！[br]+5 RD币

ayuyu · 发表于 2005-12-30 09:46:00

”7.5G的低相噪VCO“ 好点的S band VCO在 10KHz偏移的phasenoise也就负九十左右。

除非是腔体振荡器，不然他的相位噪声比不上DRO（从成本来看），频踪不会单看1KHz频偏的phase noise

ayuyu · 发表于 2005-12-30 09:58:00

说错了不是S band（2－4G），应是C band（4—8G），其实Cband即便是低噪窄带的VCOphasenoise（就算是100K的偏移）性能是无法和DRO相比较的，根何况还要倍频。其实DRO的材料成本并不是很高。

做过DRO设计的人就都知道
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everyday · 发表于 2005-12-30 10:45:00

VCO在10K和100K的相噪肯定没有DRO好的嘛！DRO本身就是高Q振荡，远端相噪肯定好啊！但是现在他只要求了1KHz的相噪，所以如果只要求了1KHz的相噪，其他指标要求不高的情况下完全可以用较为简单的方法实现！DRO成本是不高，但是高Q好的介质也不是那么容易找，而且没有经验调试DRO我认为不是件容易的事情！[br]+5 RD币

everyday · 发表于 2005-12-30 10:48:00

再说如果要求跳频呢？DRO一样实现不了的嘛！所以每一种方案都有它的优缺点，而且必须根据实际情况来考虑的嘛！

fox_ring · 发表于 2005-12-30 12:13:00

我知道中电十所做过频综ku波段能到-95，记得他们介绍的时候是采用DRO。具体你可上他们的网站去查查然后跟他们联系下。看能不能套出点信息来[br]+3 RD币

everyday · 发表于 2005-12-30 16:00:00

如果你是只是一个点频的话用DRO实现的方案要简单些，如果你是跳频或者扫频源的就要另外考虑了！[br]+3 RD币

rfworker · 发表于 2006-1-4 08:32:00

真是感谢ayuyu大侠的不吝指点，谢谢！

rfworker · 发表于 2006-1-4 08:38:00

能得到这么多高人的指点，晚辈真的感激不尽！变容管需要用管芯做了吧？封装好的振荡管和变容管能行吗？

rfworker · 发表于 2006-1-4 08:46:00

everyday也是高手啊，谢谢您的指教，有机会可以向您请教啊？<a href="mailtrfworker@126.com" target="_blank" >rfworker@126.com</A>

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