NOR NAND存储器的区别

gaoyilun

NOR  NAND存储器的区别都有哪些？请各位给点参考意见

yangfan30

楼主你这个帖子基本属于月经帖
翻翻老帖子就能找到答案了

bo911

qiang !

realwfw

flash memory是1987年提出来的，是EEROM走向成熟和半导体技术发展到1μm技术以下以及对大容量电可擦/存储器需求的产物。flash memory的优点是存储容量大，可以整片擦除。
目前市场上的flash从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种。其中NOR和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高，而NAND和AND的特点为容量大、回写速度快、芯片面积小。现在，NOR和NAND FLASH的应用最为广泛，在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards、MMC存储卡以及USB闪盘存储器市场都占用较大的份额。
NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下：
NOR的读速度比NAND稍快一些。
NAND的写入速度比NOR快很多。
NAND的擦除速度远比NOR快。
NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。
NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。
此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND Flash的支持
或非（NOR）结构的Flash具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7～3.6V，特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合，在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。
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