ESD损坏的元件有什么样的特征可以判断出来啊？

hdf590

各位高手，谁能告诉我ESD损坏的元件有什么样的特征可以判断出来啊？

hdf590

各位高手，我们的一种模块上面的一个IC元件多次出现失效（在工厂测试是通过，可交给客户使用不久就出现问题），
现在我们想将这种元件送到检测中心测试，但不知道要测试那些数据才可以确定是ESD损坏啊？
请高手指点！！

fylz

要做切片分析，费用较高 。

willyamyue

上电后CHIP是否会马上变热   但  电源与地没短 ， 多收集一  些坏片   测各点与地间电阻  与好片作分析   不同的在那些PIN 上    统计分析   ，   静电多为内伤   没次放电  电压不尽相同  损坏成度也不同  这样造成 对地电阻值不同   上电后多因阀索效应，Chip不停升温   烧穿   CHIP   Over  
[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

yangxiupei

1、方法一：在专门的失效分析实验室与好的芯片每个管脚对电源和地进行I-V曲线对比测试，一般情况下，如果器件ESD失效，一般曲线会异常（我们一般判断异常是：曲线偏移出＋－10％）；
2、方法二：解剖芯片，在高倍显微镜下观察是否出现失效点，必要的时候采用扫描电镜进行观察。需要专门的失效分析实验室。
3、方法三：就像楼上说的一般如果出现损伤的器件在上电后会出现升温，通过红外成像等方法可以发现异常点。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

12506

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>yangxiupei</I>在2007-6-7 19:04:00的发言：</B>
1、方法一：在专门的失效分析实验室与好的芯片每个管脚对电源和地进行I-V曲线对比测试，一般情况下，如果器件ESD失效，一般曲线会异常（我们一般判断异常是：曲线偏移出＋－10％）；
2、方法二：解剖芯片，在高倍显微镜下观察是否出现失效点，必要的时候采用扫描电镜进行观察。需要专门的失效分析实验室。
3、方法三：就像楼上说的一般如果出现损伤的器件在上电后会出现升温，通过红外成像等方法可以发现异常点。

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>

willyamyue

整点实用的，全国有几个公司能作到以上那些实验啊？有几个肯掏钱啊

csplayer

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>12506</I>在2007-6-12 9:33:32的发言：</B>


</DIV>

这不是忽悠, 自己没有去做过,也没有去验证,怎么就能说别人是忽悠?我们最近就做过电镜扫描,而且通过扫描可以很清楚看清IC器件内部受ESD破坏的状态

12506

[QUOTE][IMG]
孤陋寡闻了，不好意思

[/QUOTE] dddd

12506

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>12506</I>在2007-6-19 14:18:09的发言：</B>
  dddd</DIV>

12506

我看过电子器件失效分析，但是不是口子就是黑糊糊一团，你咋知道是esd还是其他因素导致的撒？

yangxiupei

1、失效分析当然需要钱的，平均一个器件完整的分析（还不一定有结果）大概需要5000人民币（我们以前给华3做的时候），如果自己没有实验室，可以委托外面专门的实验室分析。如电子五所（赛宝）。当然也需要钱。
2、首先每个IC的I/O口都是有ESD防护电路的（当然高速或者射频的器件出外），一般都是在每个I/O导电源和地之间接二极管（内部集成），如果去掉塑料封装没有发现异常，剥离上面的钝化层后很可能可以看到IC的保护电路烧坏。（高倍显微镜或者扫描电镜下）
3、楼上看到的是烧毁很验证的－－黑黑一团。是IC过流了（不是ESD直接打坏器件所致），当然也可能是ESD打坏器件导致IC的端口保护电路的二极管击穿，当单板再次上电的时候，大电流烧毁。这些都需要模拟试验进行验证或者复现失效现象。