请教，如何选取手机RF前端的Saw filter和天线开关ASM，关注ing

soloistcat

目前关注的器件包括EPCOS/MURUTA/HITACHI等，矛盾中。日前接触到sony的一个ASM，据spec来看，其GSM/DCS频段的insertion loss的typical值只有0.65,最大值才1.0dBm,不过homornic就比不上epcos的。
请教各位一下，在选取saw filter和前端ASM天下开关时，应该关注他们的哪些性能，以减少器件对TX/RX的影响呢？期待ing，包括插入损耗、attenuation、homonic、VSWR等

longlm

<P>我也想知道啊</P>

SAODAN

<P>主要的还要看你的平台怎么样了！</P>

criterion

其实你都讲的差不多了阿

不过小弟补充几点好了

SAW:

1. 温度响应



因为输出功率除了会在常温下测试，也会在高低温下做测试，
若SAW Filter会随温度而有所频率偏移，则会影响输出功率的测试值，



因此挑选时，最好挑选频率稳定度较高的。

2. 带宽:



由上图可知，在做DPD(Digital Pre-Distortion)时，讯号的带宽会加大，
若SAW Filter的带宽不够，会导致波形失真，进而影响校正结果。

3. Group delay
  若SAW的group delay过大   会影响EVM
  不过这个发生机率很低   所以其实也不用太过考虑   



ASM :

1. Isolation :




以现今的智能手机而言，涵盖越来越多RF功能，
包含GSM, WCDMA, LTE……等，因此集结各RF功能Tx/Rx路径的ASM，
其isolation好坏，对于Rx的性能，有着明显影响。



由上图可知，PCS的Tx频率范围，会跟DCS的Rx频率范围，有部分重迭，
若ASM的Isolation不够好，则DCS的Sensitivity会受PCS的Tx影响。


而由下图得知，Insertion Loss与Isolation的计算公式一样，
只是一个为On-State，一个为Off-State。



On-State时，理想上是完全短路，毫无Loss，但实际上不可能，因此以Insertion Loss衡量导通时，Power损失多少。

Off-State时，理想上是完全开路，Loss无限大，但实际上不可能，因此以Isolation衡量断电时，Power泄漏多少。

2. ESD :


ESD的防护，也是ASM的性能指针之一。
原因是以手机而言，静电会沿着外壳缝隙，转为直流讯号，寻找金属路径，
若直流讯号流到天线，则可能会沿着弹片，一路流到Transceiver，
因此ASM对于ESD的把关非常重要，
否则若直流讯号灌入PA或Transceiver组件，轻则影响RF性能，重则零件损坏。



而有些ASM会有建议的外挂ESD保护电路，型式皆为串联电容与并联电感。
串联电容为DC Block，并联电感则是将直流讯号bypass到GND。



而有些甚至已经直接内建在ASM里，不需额外的ESD保护电路，省去成本与空间。



3. IIP2/IIP3 & IMD2/IMD3 :

以DCS 1800与WCDMA IMT为例，
若发射给基地台的WCDMA频率(1.95 GHz)，与其他手机发射的DCS 1800频率(1.76 GHZ)，
在ASM中产生IMD3，则将会影响WCDMA IMT的接收性能 (2*1.95 – 1.76 = 2.14)。



因此IMD3至少要小于-105 dBm，才不至于有Desense或Blocking的风险。


另外，若Transceiver为零中频架构，则RF讯号会直接降频为Baseband直流讯号，
而IMD2的频率范围，正好会座落在直流讯号附近，影响解调结果，
因此IMD2也至少要小于-105 dBm，才不会使解调结果太差。
例如Skyworks的SKY13413-488LF，其IMD2跟IMD3，都至少有-105 dBm。



至于IIP2/IIP3，则表示抑制IMD2/IMD3的能力，
亦即IIP2/IIP3大，则表示抑制IMD2/IMD3的能力越好，即所产生的IMD2/IMD3越小


其他详情   可参照




在此就不赘述