EMI 快速诊断与对策

alex_hu

摘 要 文章主要介绍EMI 快速诊断与对策，指出EMI 改进的关键是EMI 问题诊断， 解决电磁兼容问题的根本办
法，是进行电磁兼容设计。EMI 设计核心是紧紧围绕降低骚扰源频率f 和减小高频电流环面积两大措施。文章倡
导人性化工作态度，作者认为，只要不断的学习和总结，EMC 是逐渐“看得见和摸得着”的，是有规可循的
【文件名】:07516@52RD_EMC的整改.pdf
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changxusu

大体看了一下，对于楼主的这种分享精神先表示谢谢。
15个例子，大多整改方向在屏蔽和抑制，屏蔽如选用好的机箱，电磁波被吸收或被反射；抑制主要讲用差模扼流圈或者bead,还有就是在电源线上加磁环，目的主要就是减少共模电流。对于晶振的阐述减少高次谐波的方向是正确的，但是好像没有具体说明怎么做。
对于当中的第5个案例，晶振信号的进出串联bead的含义是什么，想请教一下，个人认为你们这么做的目的是减少电流。正常情况下，近场探头会发现3次谐波和5次谐波比较高，但是不至于被远场天线受到，除非时钟信号线的设计出了问题。电子线路上面设计的第一个错误是提供给多个IC，并且从中间开叉；layout上的主要问题可能是cross-moat或者穿层过的通孔次数太多。第5个例子中你们改善了地线但是还超标5.6db并且是narrow band,我认为我判断的不错。
第一张图上面前面100M都飚上去了，往往是电源线上出了问题，这个可以用频谱仪去量，波形很相近，其中一种可能是反向二极管引起的，你们可以去检查。366MHz出来的是一个narrow band应该是高速信号引起，与时钟信号和数据信号关系比较大。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

zhangst2000

Thanks a lot!

changxusu

我补充一下：RE设计的几个方面根据电场强度计算公式而来：K*F*A*I/tr,k是常数，Ff是信号频率，A是环路面积，I是环路电流大小，tr是信号上升时间。设计包括整改的重点在于：减少环路面积，减少环路电流以及提高时钟risetime(falltime).举例：usb线靠近connector处加common choke*（共模扼流圈）把环路中的共模电流去除就是上面说得降低I.高速信号线严禁cross-moat是防止环路返回电流绕道，这就是所指的降低A.crystal电路中时钟信号下拉电容接地就是使信号的tr变大（不能太大，不然难以驱动）并且消除了F的高次谐波。RE的中心思想就这么多。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

quantum3050

怎么都要钱呀？
来，我免费共享一个：快去下！

quantum3050

文章主要介绍EMI快速诊断与对策，指出EMI改进的关键是EMI问题诊断， 解决电磁兼容问题的根本办法，是进行电磁兼容设计。EMI设计核心是紧紧围绕降低骚扰源频率f和减小高频电流环面积两大措施。文章倡导人性化工作态度，作者认为，只要不断的学习和总结，EMC是逐渐“看得见和摸得着”的，是有规可循的。

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