请教手机充电回路中晶体管的问题

yantaisgj · 发表于 2007-4-13 11:27:22

1、充电器里的晶体管主要关注哪些?除了正常的电压电流spec安全区域、功耗散热等
还需要注意什么?在评价的时候具体需要做哪些工作?功耗评价需要空载、带载两方面吗?
是否对晶体管尺寸很在意?比如如果尺寸变小表面温度稍微上升会不会被考虑采用?
2、手机内部充电管理部分是不是基本都是MOS管控制?选用时需要注意什么?有什么具体要求.FRD或SBD会不会用到?
3、现在TVS管基本被用在哪里?是不是只是在高速传输线被用到?还是压敏电阻用的最多?
希望有经验的兄弟姐妹不吝赐教!万分感谢!!!
[em08]

jamesbond · 发表于 2007-4-15 00:46:49

此处充电控制用一个P-MOS,一般选D-S饱和导通持续电流>1A,D-S最大电压>20V,因为电池充电控制的功率P-MOS其实是当作一个DC-DC的线性电流调整管来用，故要求线性度要好（参照V-I放大曲线）

不过没有充分自信还是不要替换此MOS，原参考设计是哪个就用哪个，因为很多手机方案设计的源头大多在欧美，多数是用的vishay或者On Semi,不同的厂家V-I曲线截止电压与导通放大斜率可能不同，要在软件中相应对充电控制部分做修改

yantaisgj · 发表于 2007-4-16 11:15:31

多谢 jamesbond指教!
学习了!

nickwang · 发表于 2007-4-19 11:01:07

有個問題,為甚麼一般都選用P-MOS管,而不是N-MOS

wgrecall · 发表于 2007-4-19 18:49:05

为什么有时用三极管代替PMOS?

flyhe · 发表于 2007-4-20 16:08:24

PMOS比NMOS要便宜，在一些开关速度要求不高的地方也可以用三极管，毕竟三极管的各方面的耐压耐流（相同价格条件下）要比MOS管好

jamesbond · 发表于 2007-4-20 18:30:31

为什么是P-MOS?

P-MOS饱和导通电阻小,效率高

eyeinwind · 发表于 2007-4-21 10:49:43

为什么是P－MOS？
一般来说，N－MOS比P－MOS便宜，原因是两者的衬底不同，P型衬底不容易把Rdson做下来。

但是由于N－MOS是需要在Gate和Source加正压才导通，而P－MOS是无需，而是加负压关断，所以理所当然要用PMOS了，因为在不充电是，自然在Gate和Source之间是负压，自动关断。充电时，把Gate直接结Source就导通了。

TVS当然要用到重要的和USER接触最多的接口上了，其比Varistor性能好得多呢。

jamesbond · 发表于 2007-4-21 20:01:27

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>eyeinwind</I>在2007-4-21 10:49:43的发言：</B>
为什么是P－MOS？
一般来说，N－MOS比P－MOS便宜，原因是两者的衬底不同，P型衬底不容易把Rdson做下来。

但是由于N－MOS是需要在Gate和Source加正压才导通，而P－MOS是无需，而是加负压关断，所以理所当然要用PMOS了，因为在不充电是，自然在Gate和Source之间是负压，自动关断。充电时，把Gate直接结Source就导通了。

TVS当然要用到重要的和USER接触最多的接口上了，其比Varistor性能好得多呢。</DIV>

自相矛盾

wgrecall · 发表于 2007-4-22 12:23:14

一般用PMOS,如果用NMOS就必须要一个boost才能使NMOS导通，充电中用MOS，是工作在开关状态，而用Transistor则工作在放大状态

wgrecall · 发表于 2007-4-22 12:28:33

我觉得很奇怪，为什么充电平台上，用两个PMOS需要两个pin脚来控制呢？为什么不用一个pin脚来控制？

louis-cao · 发表于 2007-4-23 14:56:24

现在TVS管基本被用在哪里?是不是只是在高速传输线被用到?还是压敏电阻用的最多?
答：低速传输，也用TVS管，确切的说，高速传输需要电容值做的更低的TVS，因此价格上比低速传输用TVS会稍贵些。
压敏电阻用在容易有静电进来的I/O口保护电路部分，起ESD作用。
不过电流过大的话，压敏电阻和TVS都容易坏掉，要权衡使用。
一般I/O接口保护多用压敏电阻，UIM卡、TF卡等用TVS，这是个人习惯问题，不一定都是如此。
Littlefuse、Semtech等厂家在ESD方面的技术都比较不错

flyhe · 发表于 2007-5-7 15:27:20

来讨论一下到底是PMOS VS NMOS cost ?
个人认为是PMOS cheaper?
大家发表一下高论!!!

cylbailey · 发表于 2007-5-9 11:11:14

PMOS is less conductive than NMOS, as the mobility of electros is three times of holes.
  So PMOS is not good from conduct resistance point of view.
  Why PMOS? Imagine you use NMOS, and the charger voltage, say 5.5v, is applied at Drain or Source, So there must be a even higher voltage at gate to make the MOSFET conduct, what is difficult....
  Use PMOS can dramaticly simplify design....

wgrecall · 发表于 2007-5-10 17:54:15

PMOS vs Transistor?

What is the difference and the trade-off we should consider?

yantaisgj · 发表于 2007-5-11 09:39:18

真是学到不少.

1,关于P-MOS,N-MOS,P导通的条件是Ugs<o，而N刚好相反
在作为电源传输上的开关时,S端有很高得电压,如果适用N，G端需要更高的驱动电压.这对于驱动IC来说很困难.而使用P很容易实现.
同样,如果作为下拉,即输出端是接地的.此时使用N-MOS.因为S端电位为零.

至于成本,待确认.

2,MOS和BIP

具体原因还没有答案.个人观点
a,BIP是电流驱动,需要IC提供给基极一定的电流.增加了IC的负担
b.输入阻抗哪个高哪个低?待确认.
c.因为BIP电流放大需要一定的放大倍数,而过高的放大倍数必将使Vcesat增大从而导致更多损耗.

请各位继续指摘,指教!

yantaisgj · 发表于 2007-5-11 09:49:48

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>wgrecall</I>在2007-4-22 12:28:33的发言：</B>
我觉得很奇怪，为什么充电平台上，用两个PMOS需要两个pin脚来控制呢？为什么不用一个pin脚来控制？</DIV>

实际上我看到的图纸都是一个端子控制的，也就是说两个管子的G是连着的.

yantaisgj · 发表于 2007-5-11 11:21:02

ON抵抗: BIP < N-MOS < P-MOS
COST: BIP< N-MOS < P-MOS

所以如果驱动电压可以达到要求,一般用N-MOS
如果比较困难,就用P-MOS.比如IC控制时.

前面自己的说法有误,对不住.

cylbailey · 发表于 2007-5-11 18:44:23

由于相对于一样导电率的N-mostfet, P-mosfet会大一些，价格应该会高一些，这种最简单的东西，没什么工艺成本，主要是芯片面积。

peterduh2 · 发表于 2007-5-14 18:04:59

如何控制充电电流的大小?

如果MOS管只是起到开关作用,芯片内部是以什么方式控制充电电流呢?

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