东芝再攀新高，3bit/单元技术的24Gbit NAND 07年问世

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东芝再攀新高，3bit/单元技术的24Gbit NAND 07年问世
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上网时间:2006年12月30日 打印版  推荐给同仁  发送查询



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东芝近日宣布，将于2007年下半年投产采用3bit（8值）/单元技术的56nm工艺24Gbit NAND型闪存。该产品是东芝在2001年在160nm工艺中使2位（4值）/单元NAND型闪存的多值化技术达到实用水平以来，时隔6年首次向更高工艺过渡。
据悉，东芝今年12月开始供应采用2位/单元技术的56nm工艺16Gbit产品样品，2007年1月投入量产。2007年下半年计划导入3bit/单元技术，投产容量增至1.5倍的24Gbit产品。24Gbit产品的量产将从小规模开始，根据用户反应和用途的扩大情况，逐步增产。
此外，东芝还准备在定于2008年量产的43nm工艺中导入该技术，投产48Gbit产品（容量相当于采用2位/单元的32Gbit产品的1.5倍）。关于43～45nm工艺NAND型闪存，市场占有率排名首位的韩国三星电子已经暗示将量产取代浮游栅结构的新结构单元。东芝将通过对浮游栅型进行材料方面的改进加以应对。另外，三星目前正在提高2位/单元产品的生产比例，以便追赶领先的东芝，至于3bit/单元产品的投产计划尚未宣布。
据介绍，在工作速度等性能方面，3bit/单元产品能够维持和2位/单元产品相同的水平。技术细节未予公布，估计是通过控制电路的改进等方式实现的。