EOS-----------你究竟是何方神圣!!!!!!!!!!!!!

wenjun029

EOS--Electrical Over-Stress,一个号称是"过电应力"的东东,让我为了它的真面目是煞费了一番苦心,它和ESD同是"E"家,那么他们又有什么区别呢?即然对我们的产品有危害,那么我们又该如何去防范于"未燃"呢??请走过路过的各位大侠、各位高人给指点指点,如有这方面的资料更好！！先谢过了！！！！[/COLOR]

wenjun029

看来这个问题还是有点难度,都不见大家发表发表一下自己的看法!

bestdesign

确实不懂，哪方面用到的？

csansong

一方面来自杂讯，或其他高电压烧坏IC，它的作用时间比ESD长，但没有ESD电压高，电流比ESD大，

切片分析，EOS比ESD毁坏面积大的多。....[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

erge

EOS是过载引起的损坏,比如使用过程中的超过器件承受能力引起的击穿等,ESD是静电,主要生产过程中静电堆积,放电造成的损坏!我有相关方面的资料,等下会传上来.[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

windsxp

ESD从本质上属于EOS的一种，EOS防护一般是降额设计，ESD防护的话，一般选用ESD等级高的器件，要不就做ESD保护电路。
我这里有点资料，希望对你有所帮助。

【文件名】:07116@52RD_EOS.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:345K
【简　介】:
【目　录】:
[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

windsxp

刚刚看到楼主以前发的帖子，说是芯片供应商分析分析报告EOS问题。这类现象非常普遍。对供应商来说，尽可能的把问题推给客户是他们一贯的思路或者说是方法，你可能给他们10个失效器件，里面有一个是EOS问题，那么他们给你的分析报告结论很可能就是EOS失效。实际上，对一个失效分析人员来说，要准确的区分出一个器件失效的原因就是EOS和ESD是很困难的。
对于EOS问题，不要太相信供应商的结论。
首先保证器件的应用电路是否满足规格书的要求和降额设计要求，再测试上下电和工作过程中是否有电压过冲和电浪涌，如果排除了以上两种情况，基本上就排除了EOS问题，当然外部其他电磁波干扰也可能会有影响。
ESD问题就比较麻烦，确定失效器件的ESD等级，然后考虑生产现场的ESD防护状况是否符合器件的ESD等级要求，通过试验进行ESD试验复现失效现象（表现的特征多为短路和漏电，一般不会开路）。
以上是个人观点，希望大侠们指正。[em07]

erge

EOS是过载引起的损坏,比如使用过程中的超过器件承受能力引起的击穿等,ESD是静电,主要生产过程中静电堆积,放电造成的损坏!我有相关方面的资料,等下会传上来.[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

windsxp

ESD从本质上属于EOS的一种，EOS防护一般是降额设计，ESD防护的话，一般选用ESD等级高的器件，要不就做ESD保护电路。
我这里有点资料，希望对你有所帮助。

【文件名】:07116@52RD_EOS.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:345K
【简　介】:
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windsxp

刚刚看到楼主以前发的帖子，说是芯片供应商分析分析报告EOS问题。这类现象非常普遍。对供应商来说，尽可能的把问题推给客户是他们一贯的思路或者说是方法，你可能给他们10个失效器件，里面有一个是EOS问题，那么他们给你的分析报告结论很可能就是EOS失效。实际上，对一个失效分析人员来说，要准确的区分出一个器件失效的原因就是EOS和ESD是很困难的。
对于EOS问题，不要太相信供应商的结论。
首先保证器件的应用电路是否满足规格书的要求和降额设计要求，再测试上下电和工作过程中是否有电压过冲和电浪涌，如果排除了以上两种情况，基本上就排除了EOS问题，当然外部其他电磁波干扰也可能会有影响。
ESD问题就比较麻烦，确定失效器件的ESD等级，然后考虑生产现场的ESD防护状况是否符合器件的ESD等级要求，通过试验进行ESD试验复现失效现象（表现的特征多为短路和漏电，一般不会开路）。
以上是个人观点，希望大侠们指正。[em07]