手机CAMERA灯箱问题

wirth · 发表于 2006-12-29 11:28:07

各位大虾,有个问题我想咨询下,测试灯箱透视型的好,还是反射型的好?0.3M的高度一般选用多少?1.3M的呢?有没有人用OV7663的SENSOR,当采用内部供电的时候HREF和DVODD是否要断开,在采用外部供电的时候是否两脚要连接?如果图纸只提供两个电源:DOVDD和DVDD,没有AVDD,那么AVDD直接从DOVDD用二极管降压转过可以吗?会有什么影响?谢谢,不好意思,一次问这么多问题,恭候您的解答!!![em13]

3homer · 发表于 2006-12-29 12:04:22

# 个人认为透视的比较好.但是现在很多都在用反射的,只要光照均匀没有太大差别.
# 0.3mp的一般50-70cm,1.3mp最大不过1m,但是这个是要根据客户的要求.
# 你所说的采用内部供电是不是指1.8V通过寄存器设置来生成?
# HREF是行同步信号啊,干吗要断开 HREF=HSYNC!!
# DOVDD和AVDD可以通过磁珠/电感直接连,只不过Noise大,电源这个东西还是要和客户确认的.

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wirth · 发表于 2006-12-29 12:33:53

谢谢楼上的大哥,刚才说错了,不是HREF是VREF,在7663外部供电时和DOVDD是否要连接起来,一般是加几个电容,我以前都是只给VREF接个电容而已,其他三个电源各加电容...再请问如果客户只提供两个电源,如何能消去严重的NOISE,谢谢您.

William · 发表于 2006-12-29 13:44:24

OV 有建议的参考电路图的，好象说可以去掉VREF的电容但AVDD/ DVDD 上的电容比较重要，

不要使用OV 内部的电源分压芯片，给电源上加电容和BEAD（磁株），数字地和模拟地分开走， MCLK，PCLK（VCK）LAYOUT时尽量离电源和地远点，也要避开数据线，这样可以有效降低由电源引起的NOISE！

但产生的NOISE的原因很多，和积存器SETTING关系也较大！[em12][br]+3 RD币

wirth · 发表于 2006-12-29 13:55:21

<DIV class=quote>以下是引用William在2006-12-29 13:44:24的发言：
OV 有建议的参考电路图的，好象说可以去掉VREF的电容但AVDD/ DVDD 上的电容比较重要，

不要使用OV 内部的电源分压芯片，给电源上加电容和BEAD（磁株），数字地和模拟地分开走， MCLK，PCLK（VCK）LAYOUT时尽量离电源和地远点，也要避开数据线，这样可以有效降低由电源引起的NOISE！

但产生的NOISE的原因很多，和积存器SETTING关系也较大！[em12]</DIV>

楼上这位兄弟的意思是给每个电源与地之间都加上电容和磁珠?我做6×6的模组,空间问题就很麻烦了...一般我做的过孔都是0.45×0.25...请问能不能介绍些能做质量好过孔更小的厂家,我试试?谢谢

3homer · 发表于 2006-12-29 16:45:45

<DIV class=quote>以下是引用wirth在2006-12-29 12:33:53的发言：
谢谢楼上的大哥,刚才说错了,不是HREF是VREF,在7663外部供电时和DOVDD是否要连接起来,一般是加几个电容,我以前都是只给VREF接个电容而已,其他三个电源各加电容...再请问如果客户只提供两个电源,如何能消去严重的NOISE,谢谢您.</DIV>

VREF通过0.1uf接地,不要和DOVDD连.
另外如果是1.3mp的不建议有内部产生1.8V电压,noises大,VGA就凑合了[br]+3 RD币

James_Liu · 发表于 2007-2-6 10:53:20

学习

callen · 发表于 2007-8-6 21:00:45

William and homer very NB!

felix-ruan · 发表于 2007-8-7 17:08:05

<DIV class=quote>以下是引用William在2006-12-29 13:44:24的发言：
OV 有建议的参考电路图的，好象说可以去掉VREF的电容但AVDD/ DVDD 上的电容比较重要，

不要使用OV 内部的电源分压芯片，给电源上加电容和BEAD（磁株），数字地和模拟地分开走， MCLK，PCLK（VCK）LAYOUT时尽量离电源和地远点，也要避开数据线，这样可以有效降低由电源引起的NOISE！

但产生的NOISE的原因很多，和积存器SETTING关系也较大！[em12]

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我有意见:VREF是内部基准电压,去掉VREF的电容的话,99%的模组会黑屏,这个在做样品的时候,你可以试试.不光是7670不能拿掉bypass电容,其他的OV系列的也不好拿掉.(其他的产品没有做过实验)至于在nosie方面,现在7670的一般空间是6*6的,不可能给你留下很多空间来layout电容跟磁珠.所以在一般的设计上,我们都选择留下电源的滤波电容,然后在layout上下功夫.MCLK,PCLK最好是用包地来处理,而离电源远点,SDA,SCL尽量平行等长走.其他的信号线加宽走,且各种线的过孔sensor与connector在同一面的不能超过两个,重要的线最好是同一面走线.sensor与connector不在同一面的，尽量用一个过孔走线摆平他们。

[此贴子已经被作者于2007-8-8 8:09:18编辑过]

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callen · 发表于 2007-8-7 20:42:38

felix-ruan 也很NB啊！

siling911 · 发表于 2007-8-13 16:32:38

2楼的朋友回复的较好： VREF不能拿掉，而且要单独接，否则模组会出现一些异常情况，、。
OV7663好象是低端的，现在基本不用了吧。最好不要使用内部供电，可能会产生噪声。关于DOVDD和AVDD，如果条件允许就在他们之间放个BEAD或者是瓷珠，实在不行就连在一起。不建议采用二极管降压的方法，因为：1 成本高 2 会产生耗电流过大 3 噪点基本看出来[br]+3 RD币

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