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[讨论] 请问:单片机晶震处的上下拉电容值应该怎么计算?

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发表于 2006-12-28 14:56:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
我见过的好象一般都是选用30pf或者40pf的两个电容,但是具体是怎么得来的?有什么理论计算来支持吗?是不是都选用这样的两个电容呢?
发表于 2006-12-28 17:30:55 | 显示全部楼层
先看晶振规格的CL( load capacitor )

以 CL = ( C1*C2 )/( C1+C2 ) + Cs 来估算

C1 ,C2 为 Crystal 两旁的电容
Cs 为PCB stray capacitor , 典型值为 5 pf
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发表于 2006-12-29 08:51:32 | 显示全部楼层
楼上说的让我得益不少,以前都 是随便选个27p了
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 楼主| 发表于 2006-12-29 09:18:33 | 显示全部楼层
多谢!!
学习了~~~~
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发表于 2006-12-29 19:00:08 | 显示全部楼层
除了二楼说的,还与单片机的内部振荡电路有关。一般来说,大的LOAD电容振荡频率比较稳定,但容易引起不起振。
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发表于 2007-1-8 12:13:08 | 显示全部楼层
晶振的等效电路是:一个电感串一个电容,再并一个电容
所以它的振荡频率是跟外接电路的等效电容值有关的。

因为基本上电子电路都会有一个等效电容,极少纯阻性的。厂在生产晶体进会模拟一个负载电容值得来的得到一个标称频率,就是一负载电容,
常用的有10P 20P 30P等。跟据电路需要厂家可以做不同负载容的晶体,我就做过 9PF 的晶体,
负载电容20P 标称值为10M的晶体,在负载为30P的电路上应用时频率是会发生较大的变化的,所以一般会通过外接电容进行微调,一般都不能太大。主要是要参考 晶体与IC的说明。

因为晶体的参数很多,负载电容,负载电阻,激励功率,温度频差,调整频差,AT切,BT切,以及不同晶体外形的可靠性等,都对电路的影响是很大。所以对晶体的选择要很慎重。要是它停了,你的机器也就活不了了,
[em02][em02]
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发表于 2007-1-10 13:23:46 | 显示全部楼层
高手再指点下啊 !!!
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发表于 2007-1-11 18:03:15 | 显示全部楼层
学习中
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