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[综合资料] 微波FET低噪声放大器的设计流程

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发表于 2006-10-20 09:11:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,主要讲了实际制作的流程,有一定的指导意义
【文件名】:061020@52RD_微波FET低噪声放大器的设计流程(1).doc
【格 式】:doc
【大 小】:70K
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发表于 2006-10-20 16:15:00 | 显示全部楼层
一、选择电路形式
1、            单端式
2、         平衡式
二、选管

工作频率≤2GHz选用双极型晶体管
2GHz≤工作频率≤4GHz选用双极型晶体管或选用GaAs微波FET
工作频率≥4GHz选用GaAs微波FET

三、放大器的级数的估算
    级数N≥要求的总的增益Gt/单级的增益Gu
   
   
四、输入输出匹配网络设计

1、判定微波FET在工作的频率上是处于绝对稳定还是潜在不稳定状态。
判定条件:①  1-|S11|²>|S12*S21|
              ②  1-|S22|²>|S12*S21|
③  Ks=(1-|S11|²-|S22|²+|Ds|²)/(2|S12*S21|)>1
               其中(Ds=S11*S22-S12*S21)
[em05]
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发表于 2006-10-21 13:57:00 | 显示全部楼层
感觉上当了:)
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