关于管子“ULM2N”的疑问

doubaobao

在马达控制电路中，我们使用的是ROHM的ULM2N（NPN+DIODE）
但是在spec中并没有看到NPN部分的基极有内置电阻，因此，当GPIO打开基极的时候，
（假设GPIO为2.8V），则NPN管被打开，马达起振，管子工作在饱和区，由于在饱和状态下Vce非常小，因此，Vc几乎等于Ve，而Vb=2.8V！
然而，NPN管的工作条件是Vb〉Ve，Vc〉Vb，即“发射结正偏，集电结反偏”的条件，因此，在前述的马达工作电路中，Vb〉Ve，且Vb〉Vc，这怎么解释呢？
个人认为：无论三极管工作在什么状态，饱和，放大，或是截止，它的工作条件都是一样的，那就是发射结正偏，集电结反偏的条件。 针对这个问题，我也请教过达人，有达人给我解释是，在基极其实已经串联了一个电阻，可以保证Vb<Vc，但是我无法信服，因为ROHM的管子一般都会在spec中明确标称出管子基极电阻的值，或者be之间的电阻值。
希望大家能够集思广益，帮我解答该疑惑，谢谢！
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doubaobao

补充一下：以NPN管为例，Vb>Ve时，电子开始从发射区向耗尽层集结军队，当电子大军开到耗尽层时，发现集电区有一个强大的力量在吸引着它们，这个力量远远大于基区对它们的吸引能力，因此，大部分的电子大军冲过了耗尽层，而投入了集电区的怀抱，但是，由于基区还是有一定的魅力，因此，还会有少数的电子投入到基区的怀抱，这样的结果就是，Ie=Ic+Ib，Ie约等于Ic，集电区要想有比基区对电子更大的吸引力，它就得比基区具备更高的正电压。  
以上是个人的理解，欢迎指正 ！
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simon

NPN管的工作条件是Vb〉Ve，Vc〉Vb，即“发射结正偏，集电结反偏”的条件

这样的工作条件一般都是针对在放大区工作的要求，因为大学的教材都比较古老，讲三极管只讲了用作信号放大用，这样就需要在放大区才有设置静态工作点等；NPN作开关管是工作在饱和区，而饱和区Vb〉Ve，且Vb〉Vc；随便找一本国外的电子类教材都有当开关管用途的讲述[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

doubaobao

谢谢楼上的兄弟！
[em08]
我读书时候用的模电书是华中科大的康华光主审的教材，据说该教材被业内人士奉为经典
该书在介绍三极管的放大作用时，曾经提到过三极管工作在饱和区和截止区的一些情况，但只是提了一下，据说在另一本数字电路中会有详细介绍（但我一直没有机会拜读），在讲到这部分知识时，并没有强调三极管工作条件的变化，只是说：“在饱和区和截止区，Ic和Ib不在遵循放大区的放大倍数，此时，发射结发射有余，集电结收集不足”等等，而偏置条件是三极管工作的重要前提，那么在饱和或截止状态下，三极管的各点电压应该是一个什么样的关系？这么重要的地方康老爷子却没有给予必要的交待，真是令人遗憾啊。。。。。。。

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