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楼主: bo911

[讨论] 手机ESD空气放电测试时+8KV通过,-8KV不过,为何?+-8KV放电差异在那里?有什么好的

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发表于 2006-11-3 15:16:00 | 显示全部楼层
机构设计有关。  负的应该更难过才是.
[em07]
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发表于 2006-11-12 23:20:00 | 显示全部楼层
和主板的走线以及主板的地的强弱有很大的关系
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发表于 2006-11-13 13:11:00 | 显示全部楼层
我的理解正电压和负电压泻放途径不一样,自然会有不同的结果
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发表于 2006-11-15 13:50:00 | 显示全部楼层
也许需要确认一些地电压有效的重要的trace是否被影响到了,GND飘掉后,有些低电压的trace的参考值变了。solution:ESD的百变不离其宗,1. 加强Gnding,2. 加强绝缘,使电在该处不能放进去,具体要视你的产品而定了。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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 楼主| 发表于 2006-11-27 09:57:00 | 显示全部楼层
测试的时候是接上充电器测试的,的确是结构有关,手机正面金属导航键内部采用了“导”的办法,将透过金属导航键进入LCD下方静电敏感部门的静电用导电布分别接到键盘l漏铜和背面屏蔽盖上.结构就出现了上面的情况.最后解决的办法是,把屏蔽盖的地核主板漏铜的地用导电布连起来.就再也没有出国问题,不过还是很纳闷,屏蔽盖的地核主板漏铜的地有什么区别呢?难道他们之间阻抗过大???大家说说看.争取把问题搞清楚:)
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发表于 2006-12-27 11:25:00 | 显示全部楼层
13楼的   请问你说的:
3.泄(通电时泄走;储存到一个地方,下次遇相反电荷中和而消化)
是存到那里拉?   还可以下次中和消化?
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发表于 2006-12-29 18:06:00 | 显示全部楼层
电源端的电路设计中有没有加入 EMI Filter?建议换一颗 SGM16C-2A或SCA20-300试试,需要的我可以提供样品 mark@mostyle.com.cn
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发表于 2006-12-30 19:35:00 | 显示全部楼层
正和负有一个还是比较好理解的,正和负的时候电流的方向不一样,当然结果就不一样.
我们遇到过+8K能过,+4K过不了的情况.实在是想不通,求大虾解答
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发表于 2007-1-3 23:08:00 | 显示全部楼层
静电是随机的,或许你打8KV 的时候并没有放进去,而结果你打4K 就死了,说明还是抗不了4KV 呢.
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发表于 2007-1-5 11:17:00 | 显示全部楼层
+8KV,-8KV,区别还是很大的;静电打不过一个很大要素是LCD模组部分,当然外壳结构,手机主板上静电防护也是很重要的,但不管怎么样,最终都反应到屏上。手机屏的驱动IC几个重要的控制线是RESET和CS,一个复位一个片选,两个都是低有效。RESET在显示的情况下大部分是高的,而CS是处于低状态。一般情况下,RESET很容易被干扰,特别是负电压打手机的时候,如果地不能及时的中和掉,而RESET没有很好的保护的情况下,负压很容易将RESET线拉低,造成屏复位。CS与RESET类似,不过实际应用中RESET出现问题的几率大很多。上面是从原理上来说的,当然静电防护主要是13楼所说的几种方法,不过还有一个“最好”的方法,就是选用高esd性能的lcd驱动IC,比如日系的IC,一般比台系,韩系的ic能多抗2KV左右,缺点嘛,贵,不好买,交期长。。。。
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发表于 2007-1-9 16:34:00 | 显示全部楼层
我理解
1.防(机壳对静电的屏蔽)
2.导(外部静电导入通道尽可能采取措施就近到地)
3.泄(通电时泄走;储存到一个地方,下次遇相反电荷中和而消化)
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发表于 2007-1-10 17:22:00 | 显示全部楼层
也有可能的话是:你+8K刚打完,突然换-8K也会掉电的.但你过会儿就好了.
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发表于 2007-1-31 09:46:00 | 显示全部楼层
我现在也发现了这个问题 就是手机sideky部位 contact +-8KV充电,+8KV时ok,--8kv是 手机reset,现在怀疑是地的问题;还在测试中!
   有志同道合的朋友可以相互讨论啊!
   本人: msn:tangdali@hotmail.com    qq: 16480870
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发表于 2007-2-2 12:44:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>ADSTYU</I>在2007-1-5 11:17:00的发言:</B>
+8KV,-8KV,区别还是很大的;静电打不过一个很大要素是LCD模组部分,当然外壳结构,手机主板上静电防护也是很重要的,但不管怎么样,最终都反应到屏上。手机屏的驱动IC几个重要的控制线是RESET和CS,一个复位一个片选,两个都是低有效。RESET在显示的情况下大部分是高的,而CS是处于低状态。一般情况下,RESET很容易被干扰,特别是负电压打手机的时候,如果地不能及时的中和掉,而RESET没有很好的保护的情况下,负压很容易将RESET线拉低,造成屏复位。CS与RESET类似,不过实际应用中RESET出现问题的几率大很多。上面是从原理上来说的,当然静电防护主要是13楼所说的几种方法,不过还有一个“最好”的方法,就是选用高esd性能的lcd驱动IC,比如日系的IC,一般比台系,韩系的ic能多抗2KV左右,缺点嘛,贵,不好买,交期长。。。。</DIV>


^_^,的确,手机很多时候ESD不过是由于LCD引起的。
之所以这样是由于LCD容易受干扰。有时是手机为了追求美观,用了很多金属件和电镀件,结果造成静电进入导致LCD白屏;有时是机壳结构不好,缝隙太大或者人为的打孔造成静电进入;有时是LCD模块的ESD性能不行,造成直接打屏蔽壳或主板地都出现LCD白屏。这里纠正这位兄弟的一个观点,LCD的ESD性能与LCD玻璃也有关系的,且与IC厂商关系不是特别大,要看具体配置的。
如果条件允许,个人建议在程序中加入针对LCD的ESD_check程序,就像现在MTK做的一样。具体就是每隔一段时间就读相应的LCD寄存器,如果数值不对就重新写一遍。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-2-7 17:25:00 | 显示全部楼层
从我经验来看,出现这种情况是因为这个测试点对负电比较敏感导致,可以拆机测试对应位置的PCB板,看哪个器件容易接受电荷。
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 楼主| 发表于 2007-4-11 21:27:00 | 显示全部楼层
30,34楼的分析不错,值得学习,
谢谢大家积极讨论,希望我们的讨论能够使大家对ESD防护提高认识:)
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发表于 2007-4-19 22:28:00 | 显示全部楼层
ESD两途径,脉冲窜入电路和强幅射进入。
对于负压加电容保护不起作用,只能让其不放电和加地重点保护。
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发表于 2007-4-30 15:28:00 | 显示全部楼层

新手的问题

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>laijun</I>在2007-1-9 16:34:00的发言:</B>
我理解
1.防(机壳对静电的屏蔽)
2.导(外部静电导入通道尽可能采取措施就近到地)
3.泄(通电时泄走;储存到一个地方,下次遇相反电荷中和而消化)</DIV>


新手,对“泄”不是很理解,哪位大虾可以解释的详细点 谢谢
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发表于 2007-5-10 13:54:00 | 显示全部楼层
上述问题在很多项目上都会出现的,理论上来说,仅仅是产生电荷时耦合的方式存在区别,试验结果应该是一致的。但实际上,由于人为测试点、距离会有偏差,可能会出现上述问题。建议如下:
1.从HW layout上考虑,如接地、ESD保护管等方面考虑,敏感元器件与结构间隙的位置关系
2.从结构接地保护方面考虑,最好能实现多点接地,间隙要小。

以上建议只是个人经验总结,希望大家能够提出更好的解决措施,谢谢!

[em01][em02][em03][em04][em05]
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发表于 2007-5-14 15:15:00 | 显示全部楼层
我以前碰到过: 刚打完正电,即使放电后,打负电仍然不过。但是断开一切电源后,重新开机,负电没有问题,再打正电也没问题。

对ESD,我的经验就是想19世际的手工做房,多做实验是正途。
当然前提是PCB、结构设计要充分靠虑ESD: 地尽可能多,结构尽可能密封。在ESD不过的地方,加地。
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