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[讨论] 关于DRAM\SRAM\FLASHROOM的用法与区别

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发表于 2006-9-2 18:32:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
有哪位大侠有资料,可以共享下
redsun_01135@126.com
谢谢!
发表于 2006-9-4 14:03:00 | 显示全部楼层
不曉得ㄟ
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发表于 2006-9-4 14:04:00 | 显示全部楼层
[em11][em10][em13]
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 楼主| 发表于 2006-9-5 12:29:00 | 显示全部楼层
这个大的网站,高手都躲哪去了?[em13]
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发表于 2006-9-16 00:37:00 | 显示全部楼层
sram:快速,贵。小容量 。控制信号简单。
sdram:慢速,便宜,大容量。多了行地址选通和列地址选通。
nor flash:快速,贵。小容量 。地址线和数据分开,操作简单。
nand flash:慢速,便宜,大容量。地址线和数据线分时复用。[em14]
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发表于 2006-9-16 09:02:00 | 显示全部楼层
SRAM  静态RAM,基本存储单元的组成由4~6个MOS管组成,集成度低,容量较小,价格偏高;一般的总线接口,控制简单;用于需要快速存取,容量要求不高的场合;
SDRAM  同步动态RAM,基本存储单元由一个MOS管和一个电容,集成度高,容量可以做得很大,价格便宜;接口复杂,有时钟信号,还有行列地址选通,地址分两次发送;一般有SDRAM控制器
FLASH 目前主要用的是两种NOR和NAND
NOR 的容量比NAND低,价格比NAND高,接口和SRAM接口相同,读控制相同,擦除和写需要特殊的命令;写入速度慢;一般用来存储程序;
NAND集成度高,价格便宜,但控制复杂,命令、地址和数据线复用,也有专门的控制命令,读的速度比NOR慢,写的速度比NOR快;一般用于存储数据,用来存程序的也越来越多
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