去藕电容和旁路电容的作用有什么区别？

vivianes · 发表于 2006-8-17 08:36:00

去藕电容和旁路电容的作用有什么区别？

bibi0204 · 发表于 2006-8-17 10:00:00

去耦电容一般用来去除电源端的耦合噪声干扰，及整流。通常取值为0.1uf;
旁路电容一般用来滤高频噪声，一般用在高频.[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

bibi0204 · 发表于 2006-8-17 10:06:00

去藕电容和旁路电容的作用有什么区别？

旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量。旁路电容一般作为高频旁路器件来减小对电源模块的瞬态电流需求。通常铝电解电容和钽电容比较适合作旁路电容，其电容值取决于PCB板上的瞬态电流需求，一般在10至470µF范围内。若PCB板上有许多集成电路、高速开关电路和具有长引线的电源，则应选择大容量的电容。

去耦电容
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。实际上，旁路电容和去耦电容都应该尽可能放在靠近电源输入处以帮助滤除高频噪声。去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100到1/1000。为了得到更好的EMC特性，去耦电容还应尽可能地靠近每个集成块（IC），因为布线阻抗将减小去耦电容的效力。陶瓷电容常被用来去耦，其值决定于最快信号的上升时间和下降时间。例如，对一个 33MHz的时钟信号，可使用4.7nF到100nF的电容；对一个100MHz时钟信号，可使用10nF的电容。选择去耦电容时，除了考虑电容值外，ESR值也会影响去耦能力。为了去耦，应该选择ESR值低于1欧姆的电容。

两者的区别：
从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

playboy · 发表于 2006-8-18 23:46:00

[em14]

charleschen · 发表于 2006-8-19 09:21:00

"旁路电容,一般在10至470µF范围内"
楼上所说的好像这个不太可能吧？

yufuren · 发表于 2006-8-28 16:23:00

楼上讲解的真好，谢谢！

xietao534 · 发表于 2006-8-28 16:45:00

受益非浅
希望多些这种文章

wotom · 发表于 2006-8-28 19:59:00

旁路是放在源的地方，把没有用的信号旁路掉，防止对其他信号进行干扰
去耦是当在端点的地方，把耦合到传输线上的干扰信号去掉．是端的输入信号是个干净的信号

zmmhmily · 发表于 2006-9-20 14:27:00

去耦电容是不是只用在直流信号中?

crash · 发表于 2006-9-22 12:04:00

应该给楼主加钱哪!

TYPHOON · 发表于 2006-9-29 09:24:00

感謝樓主，經典！！！強烈要求加幣

backbone · 发表于 2006-9-29 17:24:00

不错 ,谢谢楼上的

gzg800 · 发表于 2006-10-7 15:44:00

THANK YOU

li_lzw · 发表于 2006-12-10 10:32:00

“应该选择ESR值低于1欧姆的电容”,印象中都是毫欧级的吧[em13]

lui1978 · 发表于 2006-12-10 14:25:00

工作原理上没有区别。

“应该选择ESR值低于1欧姆的电容”,印象中都是毫欧级的吧
-----------------------------------------------------------------------------------
ESR很难测准的，特别是测试夹具Q值不够的情况下。需要夹具能有60dB的动态范围，才能准确测量到毫欧及以下的数量级，一般自制的简单夹具（印刷电路）S波段也就只有30dB左右的动态范围，能测量到零点几欧姆就不错了。

alfred5000 · 发表于 2006-12-11 14:01:00

怎么3楼的讲得矛盾呀？
前面讲去耦电容是讲到“去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100到1/1000。”，后面讲两者的区别时又说“高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大”！！！

dragon007 · 发表于 2006-12-17 18:12:00

還是暈啊!!!

simon · 发表于 2006-12-18 12:34:00

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>bibi0204</I>在2006-8-17 10:06:00的发言：</B>
去藕电容和旁路电容的作用有什么区别？

通常铝电解电容和钽电容比较适合作旁路电容，其电容值取决于PCB板上的瞬态电流需求，一般在10至470µF范围内。

去耦电容
去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100到1/1000。

两者的区别：
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。</DIV>

人云亦云，完全是自相矛盾

kingyb · 发表于 2006-12-19 12:03:00

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>alfred5000</I>在2006-12-11 14:01:00的发言：</B>
怎么3楼的讲得矛盾呀？
前面讲去耦电容是讲到“去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100到1/1000。”，后面讲两者的区别时又说“高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大”！！！</DIV>

呵呵，是啊~
但是应该后面讲的应该没错，一般去藕的都比较大了，有对电流进行整形的作用，而旁路就是比较小的一般在100N并且对应者电源需求数量放上同样数量的旁路电容
在PCB方面这两类电容都要尽量靠近芯片，并且旁路更靠近

jenen · 发表于 2006-12-22 18:56:00

一樣的!!!

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