请教，关于选择三极管和mos 管作开关的问题

bryant · 发表于 2006-8-4 20:42:00

在很多低压电子电路中，三极管和mos管很多用来作开关作用，此时要求三极管工作在截止区，而mos管工作在放大区，是这样吗？怎样选择c极或d极的上拉电阻可以使其处于此状态，需要考虑管子的什么参数？哪位高人前来指教一下？先谢谢了。

Einstein · 发表于 2006-8-4 23:15:00

三极管用在饱和区和截止区，而MOS工作在恒流区和截止区。
上拉电阻主要做限流用，关键看你的关在输出电流。[br]+1 RD币

zhangzh · 发表于 2006-8-5 00:03:00

学习中！

flymsik · 发表于 2006-8-21 14:39:00

pnp三极管：1.Vb>Vc&Vb>Ve处于饱和区 2.Vb<Ve&Vb<Vc处于截至区 3.Vb>Ve&Vb<Vc处于
放大区
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demon_wang · 发表于 2006-8-23 22:02:00

信号线上应用时要注意饱和时的VCE（Vces）以及开关时间等。有的应用还得注意耐压(Vceo)。例如－48V缓启动中的MOS管就需要注意源和漏之间的耐压。[br]+1 RD币

ezlei · 发表于 2006-8-26 11:21:00

沙发说的有点笼统.我知识有限.望详细点

sunwei · 发表于 2006-9-1 21:39:00

困惑很久，希望高人详细解答

kenvert · 发表于 2006-9-2 16:53:00

这是基本功呀！

建议找本模拟电路的书看看就明白了。
这里三言两语说不请的．

amian · 发表于 2006-9-4 14:08:00

[em08][em13]

lushao · 发表于 2006-9-4 14:16:00

不管什么管做为开关作用都要求在截止区。从灵敏度角度讲建议你选用MOSFET因为它开关导通，截止时间快，漏电流小。根据你需要流通的电流选择合适的耐压，耐流参数，温度参数也要仔细考虑，防止意外烧坏。做为开关MOSFET重要的一个参数就是一定要选用低RDS.[br]+1 RD币

happier · 发表于 2006-9-18 11:52:00

我建议用mos管作开关，因为三级管就算完全导通也存在0.3v左右的压降，不能把电位完全拉
low，这样在有些电路中会出现电位不能的情况[br]+1 RD币

zmmhmily · 发表于 2006-9-19 23:54:00

mos在开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动BJT导通，而用另一反向基极电流IB2迫使BJT关断，由于BJT不是理想开关，故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。

为了使BJT快速导通，缩短开通时间ton，驱动电流必须具有一定幅值，前沿较陡的正向驱动电流，可加速BJT的导通；为加速BJT关断，缩短关断时间toff，驱动电流必须具有一定幅值的反向驱动电流，过冲的负向驱动电流，可缩短关断时间
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flyman135 · 发表于 2006-9-20 17:17:00

現在很多都是用作開關
計算參數幾乎很少了只要知道什麽時候導通什麽時候關閉就好了，就是個電壓高低的問題。
一般用在截止區。
感覺跟以前學的那些模擬的東西都沒用上。具體有什麽需要注意的嗎？

marshalzhu · 发表于 2006-9-28 13:46:00

5楼的兄弟说得有点道理。
还有其他的要求，看应用场合而定，所以任何一个系统都应该从整个系统的角度来考虑选用什么样的器件，太好就是浪费，太差会成为整个系统的瓶颈。

zxzhao · 发表于 2006-10-6 14:36:00

用mosfet做开关要注意最大电流，尤其是瞬间的，最后在DS级上并一个硝特基的二级管；
低压开关要注意导通条件，是选P沟道的还是N沟道的，这些都要根据具体的情况分析！

li_lzw · 发表于 2006-12-10 10:41:00

一般控制信号使用三极管做开关，电源的开关（包括缓启）一般用MOSFET

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