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[资料] NP2300MR SOT-23-3L N-通道增强模式MOSFET

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发表于 2022-11-16 14:40:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
概述
NP2300MR采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)通用特性、低栅极电荷和高密度电池设计,用于超低电阻。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=20V,ID=5A
RDS(ON)(Typ.)=24mΩ @ VGS =4.5V
RDS (ON)(Typ.)=30mΩ @VGS =2.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包

应用
PWM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23-3L

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