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[讨论] 电子产品制造中越发增多的ESD损坏模型-电容间的静电放电

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发表于 2017-5-23 16:42:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
  当前的电子产品的设计与电子制造工业技术的发展,不断产生一些新的技术问题及课题。
  对于电子产品制造过程中的ESD所造成的电子器件失效模型,早已不是过往的HBM(Human Body Model,人体放电模型)、MM(Machine Model,机器放电模型)、CDM(Charged Device Model,器件带电放电模型)、CBM(Charged Board Model,电路板带电放电模型)等所能有效覆盖的阶段。
  随着FPD(Flat Panel Display,平板显示)产业的快速发展,各种电子元件的静电带电,在生产过程中彼此装配所发生的ESD事件,突出地表现为不同电容的静电带电差异,引发ESD,并引发相关电子元件的电致失效损失。
电容间的静电放电电流幅值越大,引发的电子器件ESD损坏风险越高;
电容间的静电放电的静电荷转移量越大,引发的电子器件ESD损坏风险就越高。

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发表于 2017-12-28 18:00:39 | 显示全部楼层
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