电子产品制造中越发增多的ESD损坏模型-电容间的静电放电

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  当前的电子产品的设计与电子制造工业技术的发展，不断产生一些新的技术问题及课题。
  对于电子产品制造过程中的ESD所造成的电子器件失效模型，早已不是过往的HBM（Human Body Model，人体放电模型）、MM（Machine Model，机器放电模型）、CDM（Charged Device Model，器件带电放电模型）、CBM（Charged Board Model，电路板带电放电模型）等所能有效覆盖的阶段。
  随着FPD（Flat Panel Display，平板显示）产业的快速发展，各种电子元件的静电带电，在生产过程中彼此装配所发生的ESD事件，突出地表现为不同电容的静电带电差异，引发ESD，并引发相关电子元件的电致失效损失。
电容间的静电放电电流幅值越大，引发的电子器件ESD损坏风险越高；
电容间的静电放电的静电荷转移量越大，引发的电子器件ESD损坏风险就越高。

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