关于正、反向放大的区别

everset · 发表于 2006-6-15 16:22:00

最近看到有人在问晶体管正反向的差别，现将我的理解告诉贴在下面，供参考：晶体管正、反向放大的区别在于正向放大时Vbe大于零，Vce大于零，反向放大时Vce小于零，Vbc大于零，也就是说反向放大就是在正向放大的情况下将晶体管反接，集电极当发射极用，发射极当集电极用。两者的区别在于放大倍数的不同。正向放大的β值一般都很大，而反向放大的β比较小，一般在1～5左右。原因是反向放大时，集电极载流子浓度低（在半导体工艺中，集电极浓度最低，发射极浓度最高），从基区穿越过来的多数载流子在集电区复合系数比正向放大时低的多，从而导致放大明显减小。但是，一般情况下，在模拟电路中，反向放大很少用。[br]+3 RD币

zminhan · 发表于 2006-7-26 10:53:00

在半导体工艺中,集电极掺杂浓度最低,发射极掺杂浓度最高.
---------------------应说是基极最低,集电极次之,发射极掺杂浓度最高
从基区穿越过来的多数载流子在集电区复合系数比正向放大时低的多，从而导致放大明显减小。
--------------------这个解释我也认为不妥,载流子的复合应该发生在基区,从而导致了基极电流.而不是集电极电流的产生原因.我认为如果反向放大,载流子浓度低的集电极成了发射极,在同一偏置电压VBE的作用下,进入基区的多数载流子自然也变少,从而使得放大倍数明显减小.[br]+3 RD币

zminhan · 发表于 2006-7-27 09:30:00

在半导体工艺中,集电极掺杂浓度最低,发射极掺杂浓度最高.
---------------------应说是基极最低,集电极次之,发射极掺杂浓度最高
---------楼主是正确的,小弟学业不精,惭愧.....

everset · 发表于 2006-8-5 21:49:00

互相学习。半导体器件制作时，一般在外延上开扩散孔（当然是在一定区域内），首先进行基区扩散，既然称为扩散，肯定是基区大于集电区，否则集电区会向基区扩散；基区扩散完成后，在经过一系列工艺后（退火、氧化、光刻、），进行发射区扩散。所以说,集电极掺杂浓度最低,发射极掺杂浓度最高[br]+3 RD币

zminhan · 发表于 2006-8-7 08:53:00

谢谢evereset的解释.现在明白了为什么集电极掺杂浓度要低于基极了..

yhyt · 发表于 2006-8-7 16:40:00

菜鸟问一句：两位讨论的都是针对NPN管子的，对否？

zminhan · 发表于 2006-8-10 14:01:00

关于上面三个区掺杂浓度的讨论,现在我能得到的共识就是发射级最高.而对于集电区与基区的掺杂浓度一直没有找到可靠的资料说明.而导师的回答也不着边际,只是说在不同工作状态下,掺杂浓度是不一样的.这让我很怀疑.掺杂浓度应该是在工艺制作中就确定了,怎么还会与偏置有关呢.如果说载流子浓度还差不多吧.

zminhan · 发表于 2006-8-10 14:06:00

还有一种说法是集电极与基极的浓度大小是不一定的.各个设计对工艺要求不一样,这个浓度大小是可变的.如果要求是高放大倍数管,基极除了做得很薄外,还把基区的掺杂浓度降低.这样基区的浓度就可能是最低.
以上是我在寻找这个答案时得到的信息,哪位大哥再进来给定论吧.多谢了!!!

blueking · 发表于 2006-8-20 09:45:00

好帖!搬个凳子坐下慢慢学![em06][em06]

zminhan · 发表于 2006-8-23 09:21:00

楼主也不进来讨论了...哪位兄弟进来帮帮我们呀...

yfedward · 发表于 2006-9-11 14:16:00

正.反向放大的说法对吗?[em12]

everset · 发表于 2006-9-13 20:05:00

掺杂浓度是由管子特性决定的，因此在生产时已经根据管子的参数顶好了。是不会根据工作状态改变的。不同工作条件下，不同的最多是载流子的密度不同而以。集电极浓度会影响击穿电压，发射极浓度会影响放大倍数。至于基区浓度，我也不是很清楚（我不是搞工艺的），只知道基区宽度的重要性

5isex · 发表于 2006-9-13 22:45:00

前几天正好看到这方面的内容，正在迷惑中呢，谢谢前辈指点[em08]

5isex · 发表于 2006-9-13 22:49:00

偶再补充一下，TTL门电路中就有用到BJT的反向放大作用，用来减少门电路的延迟时间[em01]

zminhan · 发表于 2006-9-14 10:18:00

掺杂浓度是由管子特性决定的，因此在生产时已经根据管子的参数顶好了。是不会根据工作状态改变的。不同工作条件下，不同的最多是载流子的密度不同而以。集电极浓度会影响击穿电压，发射极浓度会影响放大倍数。至于基区浓度，我也不是很清楚（我不是搞工艺的），只知道基区宽度的重要性
----------------同意,所以说我很怀疑我那导师的观点.他应该是不对的.关于三个区掺杂浓度的确定可能要哪位搞工艺的朋友进来才能有定论了..

dodd11 · 发表于 2006-10-12 21:50:00

5isex能否解释一下，详细点。谢谢

122013137 · 发表于 2006-11-8 12:45:00

................[em10]

GodofSun · 发表于 2006-11-19 17:12:00

关于正反向放大的问题，gray的书上有谈到过，就再江三极管特性的那一章。只是那个基极和集电极的浓度问题，我也不知道。

RFrequency · 发表于 2006-11-23 11:50:00

请问"正向放大"和"反向放大"的英文叫什么?

mikezidane · 发表于 2006-11-27 22:05:00

有一种I2L电路利用NPN管工作在反向放大进行工作的

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