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[讨论] 电子器件不同ESD失效模型的保护策略

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发表于 2016-3-15 08:38:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
电子器件的ESD失效分为能量失效型与电压失效型。
  对于电子器件的ESD能量失效模型,其失效机理表现为ESD在短时间内,造成器件内部的热量的快速积累,而当积累的热量超出器件的最大热容限时,即发生功能失效。而其决定因素主要是ESD所造成器件内部的热量功率,或ESD电流幅值。ESD电流幅值越大,越容易造成能量敏感型的器件,发生能量失效。而相同的ESD电流幅值,ESD脉冲时间越短,器件内部的热积累速率更快(器件自发散热的速率是固定的),则能量敏感型的器件越容易发生ESD能量失效。于是,针对能量敏感型的电子器件的ESD保护,关键在于控制ESD的电流幅值与ESD脉冲时间。ESD电流幅值控制得越低,ESD保护越有效;而ESD脉冲的时间控制的越长,ESD保护越有效。
  对于电子器件的电压失效模型,其失效机理表现为在器件内部电介质层(PN结、或氧化层)端的电压,超过其击穿值,而发生电介质的击穿,与ESD作用时间无关。因此,针对电压敏感型的电子器件的ESD保护,关键在于控制电子器件所处环境的静电压水平,或者通过器件内部线路结构,控制器件内部的电压差。
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