2G PA与 3G/4G PA的区别

TDB

  1.看了一些PA的资料，发现愈看越糊涂了。首先GSM的调制方式与其他类型（3G/4G）调制的区别，导致PA结构的差异，也就是说GSM PA可以工作在饱和状态，像饱和功放的结构我看书上说是C类功放，C类的话导通角是介于90-180度，那么问题来了，一般2G PA都用Vramp,也就是一个DAC输出电压控制输出功率，这个电压是怎么控制PA功率的变化的呢？之前在论坛看到有人说是改变导通角，具体是怎么实现的呢？

  2.看了一些3G/4G的PA，大多是内部集成多级PA，固定供电电压，通过内部逻辑电路调制偏置电流。这类PA又是哪一类的PA呢（看书上说线性PA一般都是A类，有这样的说话吗？），这个偏置电流又是什么电流呢，是怎样来控制PA增益或者输出功率的呢？

  3.用META调试WCDMA时，其中有DC2DC，这又是什么电压？不是说改变偏置电流麽，怎么改变电压了。而且像SKY77643这个PA，是MIPI控制，有专有的寄存器控制偏置电流，与电压有何关系？？

bajie123

（1）这个说的是功率控制。对于功放来说我们需要进行控制，比如温度补偿控制，比如驻波监测控制，举一个简单的例子，功放散热比较大，温度升高会带来pa静态工作点的变化，这个是我们不希望看到的，那么怎么办呢，我们希望能对pa进行控制，此控制可以用来抵消温度变化带来的影响，pa控制我们可以选择控制栅极或者漏极电压，当然大部分选择栅极电压，dac输出的电压就是用来控制栅极电压的。
（2）在第一点已经解释清楚了，所有关于栅极的电压控制都是来控制功放的，比如驻波保护，温度补偿，功率监测等等，4g的功放与2g的有什么不同？这个主要是跟调制有关系的，2g的调制方式是恒包罗调制，4g是非恒包罗调制，恒包罗对于功放的线性是没有要求的或者说要求不严格，非恒包罗对于功放的线性要求很高，因为功放的非线性会引起非恒包罗调制信号失真，误码率增加。4g的功放一般工作在AB类，一般会采取很多提高线性的措施，比如Doherty，包罗跟踪，dpd技术等等，一切都是为了在保持功放效率的前提下提高线性，减少功放对调制信号的影响。
（3）功放一般情况下都是mos管（LDMOS)，其是电压控制性管子，需要通过改变栅极或者漏极电压来控制其沟道，进而改变静态工作点流，即功放工作状态。


功放分为开环和闭环两种，开环就是不加控制，其栅极和漏极的电压就是恒定的；闭环功放则是一个闭环回路，有功率采集这一部分，采集到的功率经过检波送回基带adc进行相应处理，得到的结果通过dac转换为模拟电压来控制功放的栅极或者漏极电压。

Onepiece

坐等大神解答，学习学习~

469346194

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TDB

大神都忙着工作去了吧

never110101

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wendingning

看看 学习学习

bajie123

（1）这个说的是功率控制。对于功放来说我们需要进行控制，比如温度补偿控制，比如驻波监测控制，举一个简单的例子，功放散热比较大，温度升高会带来pa静态工作点的变化，这个是我们不希望看到的，那么怎么办呢，我们希望能对pa进行控制，此控制可以用来抵消温度变化带来的影响，pa控制我们可以选择控制栅极或者漏极电压，当然大部分选择栅极电压，dac输出的电压就是用来控制栅极电压的。
（2）在第一点已经解释清楚了，所有关于栅极的电压控制都是来控制功放的，比如驻波保护，温度补偿，功率监测等等，4g的功放与2g的有什么不同？这个主要是跟调制有关系的，2g的调制方式是恒包罗调制，4g是非恒包罗调制，恒包罗对于功放的线性是没有要求的或者说要求不严格，非恒包罗对于功放的线性要求很高，因为功放的非线性会引起非恒包罗调制信号失真，误码率增加。4g的功放一般工作在AB类，一般会采取很多提高线性的措施，比如Doherty，包罗跟踪，dpd技术等等，一切都是为了在保持功放效率的前提下提高线性，减少功放对调制信号的影响。
（3）功放一般情况下都是mos管（LDMOS)，其是电压控制性管子，需要通过改变栅极或者漏极电压来控制其沟道，进而改变静态工作点流，即功放工作状态。


功放分为开环和闭环两种，开环就是不加控制，其栅极和漏极的电压就是恒定的；闭环功放则是一个闭环回路，有功率采集这一部分，采集到的功率经过检波送回基带adc进行相应处理，得到的结果通过dac转换为模拟电压来控制功放的栅极或者漏极电压。

radio_frequency

学习啦，哈哈

TDB

bajie123 发表于 2015-11-21 21:23
（1）这个说的是功率控制。对于功放来说我们需要进行控制，比如温度补偿控制，比如驻波监测控制，举一个简 ...

    谢谢你的回答。

    (1).首先，你说的温度补偿，包括其他的如sub-band补偿，都是为了让整个频带的信道在不同的条件下具有相同的功率调节方式吧？其实我主要是想知道PA 内部的工作方式（暂且说2G的吧）。你说的控制控制PA内部栅极和漏极电压，这个我赞同，因为放大器基本就这些电压控制方法，那么这些控制电压对应手机中的配置项呢（如PCL DAC和Vramp，都可以看成是功率控制电压，但一般PA没有PCL DAC接口，这个PCL控制难道像WCDMA那样是在收发器控制的吗？）

    看了一些PA datasheet，老的新的都有，一些专门的GSM PA（AWT6166，PBM6293），由于只放到GMSK信号，所以效率有50%左右，而如果像一些集成GSM/EDGE的PA（还集成了开关 PA6690，SKY77590），GMSK只有将就40%效率，而EPSK只有将近20%（这么低么。。。）。是因为前者一般都是饱和功放，后者采用极性功放的原因么？为什么这么低的效率还要用。。。。（不觉得太浪费了么）。

    (2).目前像2/3/4G集成的PA（比如 SKY77648），其内部PA 是2G与3/4G 分开的的，还是都公用？从datasheet上看，好像都用的线性PA了，而且其效率都超过50%，这是怎么做到的？

    还有，我没有找到回复上传图片的地方。。。。。

liangminxuan

Mark 学习了。

byd005

MIPI pa是通过偏置电流调节电压来达到DC-DC的效果。



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ligangqiang08

学习啦，哈哈

ahang99

http://bbs.52rd.com/forum.php?mo ... id%3D5%26typeid%3D5
这里讲有一点关于PA的内容。可以看一下。

ahang99

http://bbs.52rd.com/forum.php?mo ... id%3D5%26typeid%3D5
这里讲有一点关于PA的内容。可以看一下。

PA有两种，饱和（POLAR）PA和线性PA，
现在高通都用线性PA，饱和PA在老平台上会用到，现在MTK有些平台依然在用饱和PA。
饱和PA效率高，但在高功率时会失真。

线性PA效率会低一些。

两种PA对GSM EDGE高功率时的失真会有不同的方法。可以查一下其他资料。