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布局前的准备:
1查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.
2Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.
3布局前考虑好出PIN的方向和位置
4布局前分析电路,完成同一功能的MOS管画在一起
5对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致,不要有横有竖。
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布局时注意:
6更改原理图后一定记得check and save
7完成每个cell后要归原点
8DEVICE的个数是否和原理图一至;各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后,会对布局有大概的规划,先画DEVICE,再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。
9如果一个cell调用其它cell,被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来,要打上PIN,否则通不过diva检查.最好在布局低层cell时就连起来。
10尽量用最上层金属接出PIN。
11 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.
12 金属连线不宜过长;
13 电容一般最后画,在空档处拼凑。
14 小尺寸的mos管孔可以少打一点.
15 LABEL标识元件时不要用y0层,GDS文件不认。
16 管子的沟道上不要走线
17 电容上下级板的电压注意要均匀分布;电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.
18 多晶硅不能两端都打孔连接金属。
19 一般打孔最少打两个
20 薄氧化层是否有对应的植入层
21 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.
22 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度
23 连线接头处一定要重叠,画的时候将该区域放大可避免此错误。
24 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近,没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。
25 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造.
26 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接。
27 Pad的pass窗口的尺寸画成整数.
28 连接Esd电路的线不能断,如果改变走向不要换金属层
29 关于匹配电路,放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配?使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向,纵向,和中心匹配。
1221为纵向匹配,12为中心匹配(把上方1转到下方1时,上方2也达到下方2位置)
21
中心匹配最佳。
30 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.
31 关于powermos
① powermos一般接pin,要用足够宽的金属线接,最好把整个powermos覆盖
② 几种缩小面积的画法。
32 金属层dummy要和金属走向一致,即如果M2横走,M2的dummy也是横走向
33 低层cell的pin,label等要整齐.不要删掉以备后用.
出错检查:
34 DEVICE的各端是否都有连线;连线是否正确;
35 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线,特别注意VSSX,VDDX
36 查线时用SHOTS将线高亮显示,便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。
37 多个电阻(大于两根)打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样,最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um,即两根电阻间距的一半。
38 无关的MOS管的THIN要断开,不要连在一起
39 并联的管子注意漏源合并,不要连错线。一个管子的源端是另一个管子的漏端
40 做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。Text2的名称要和该pin的名称一样.
41 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.
42 消除电阻dummy的lvs报错,把nimp和RPdummy层移到最边缘的电阻,不要覆盖dummy
节省面积的途径
43 电源线下面可以画有器件.节省面积.
44 电阻上面可以走线,画电阻的区域可以充分利用。
45 电阻的长度画越长越省面积。
46 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度.
47 做新版本的layout图时,旧图保存,不要改动或删除。减小面积时如果低层CELL的线有与外层CELL相连,可以从更改连线入手,减小走线面积。
48 版图中面积被device,device的间隔和走线空间分割。减小面积一般从走线空间入手,更改FLOORPLAN
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