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[讨论] HMC703(HMC769)寄存器配置问题

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发表于 2015-6-11 22:24:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
    大家好,我在使用HMC769时,寄存器无法正确配置,现在最简单的整数锁相都无法实现,求知道的朋友指导一下。

1)参考源为100MHz晶振,Hcmos输出波形。
2)环路滤波器是无源结构(采用无源三阶滤波器结构),带宽约50kHz。
3)CEN端口使用一个100k的上拉电阻与3.3V电源相连接,SEN采用了一个100k的下拉电阻。


1)我现在能对Reg02h(参考源分频器R)、Reg0Fh(GPO Register)进行良好的控制,其他寄存器无法控制,不知道什么原因。主要表现在:①当我对100M的方波参考源进行/100分频,并且设置Reg0Fh[4:0]=9d,然后将LD_SDO接入示波器,得到了1MHz的方波(vpp=3.7V);②通过设置Reg0Fh[4:0]=0d,可以得到Reg0Fh[5]的配置电平。

2)在Vtune端口加一个电压,使VCO工作于9.2GHz,通过设置Reg03h=4600d,Reg06h[7:5]=1d,Reg08h=[17]=1d,Reg0Fh[4:0]=10d,在LD_SDO无法得到正确的VCO分频信号,只有一个很微小的100MHz信号,可能是参考源泄漏信号。

3)采用HMC read 模式读取Reg02h的缺省配置时,可以得到正确的时序电平d23....d0=0...01,但是读取其他寄存器缺省配置时,都是得到错误的时序电平。当我对大部分寄存器进行写入d23...d0=0...01(即大部分寄存器的有效数据最低位写入1,其他位为0),
然后进行read操作,在LD_SDO端口都得到了正确的时序电平;当对大部分寄存器写入至少两个高电平时(如d23...d3d2d1d0=0...1001),在LD_SDO读出来的都是错误的时序电平,并且有一定的规律,主要表现是:有效数据位每出现一个高电平,其右侧的当前所有数据向左移一位(例如写入某寄存器数据位d23...d3d2d1d0=0...1001,那么在SD_LDO得到的时序是d23...d3d2d1d0=0...1010;
如果写入某寄存器数据为d23...d3d2d1d0=0...1001001,那么在SD_LDO得到的时序是d23...d3d2d1d0=0...1010100;)


抱歉语文水平有限,将就着看吧。请教我这些问题您遇到过没有,麻烦指导一下!谢谢
发表于 2015-7-20 03:57:18 | 显示全部楼层
首先你这个i频率超范围了吧,703最大工作到8g,需要外加个分频器呀。原理图拿来看看
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