東芝研發全球首款48層BiCS的3D堆疊式結構閃存

hrconn

　東芝宣布其研發了被稱作BiCS的全球首款48層*1 3D堆疊式結構閃存*2，該閃存爲每單元容量2位128-gigabit (16G)設備。采用新工藝技術制造的産品樣品發貨即日啓動。

東芝研發全球首款48層BiCS的3D堆疊式結構閃存

　　該BiCS基于最尖端的48層層疊工藝，該工藝提高寫入/擦除次數可靠性並提高寫入速度，其應用範圍廣泛，尤其適用于固態硬盤(SSD)。

　　自全球首推3D閃存*3技術以來，東芝一直繼續致力于優化大批量生産的研發。爲滿足2016年及以後市場的長足發展需求，東芝將推出主要瞄准大容量應用領域(如SSD)的産品組合，以此積極促進向3D閃存的過渡。

　　該公司還在其NAND閃存生産基地——四日市業務部(Yokkaichi Operations)爲新晶圓廠(Fab2)的大批量生産做准備。Fab2目前在建，將于2016年上半年完工，以便滿足日益增長的閃存需求。