关于RF SWITCH的选择

kingnuaa

请问各位大侠，在做收发部分的前端时如何选择T/R SWITCH，要注意它的哪些要求？主要是看方面的技术指标啊！谢谢各位指点
用了T/R SWITCH，那我在选择收发频率时，上行和下行能不能使用同一个频段，多谢各位的指点

heaven6

<P>主要指标为IIP3、IL,隔离度等。如果你是大功率的就要选高线性的，插损要尽可能低。如果你是TDD模式，收发可以用同一个频段。输入功率在30dBm以下的开关很多，如HITTITE,MACOM等。</P>[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

sendy

<P>请问IL是指什么,\</P><P>多谢</P>

heaven6

Insert Loss,即插损[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

leee_steven

对于开关话，最主要得就是通频带得插损要小，带外抑制要好，隔离度要好。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

meizhou_ren

根据我们实际使用经验，一定要注意开关所能承受的最大功率，特别是在开关状态下，对功率冲击的承受。
我们初期的TDD电路中，上行输入和下行输出公共端使用了射频开关，发现下行开路时，反射回来的功率很快就将开关烧掉，所以要注意保护。在此问题上，我们吃了不少苦头。
开关的隔离度是非常重要的。
在TDD系统中，大家别忘了另外一个特别重要的指标，就是开关切换响应时间，一定要测试。否则没法用。
插损是必然考虑的，插损越大，损耗的功率越大，开关所能承受的功率就会越小。

zthhxiexie

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>meizhou_ren</I>在2006-7-14 8:52:00的发言：</B>
根据我们实际使用经验，一定要注意开关所能承受的最大功率，特别是在开关状态下，对功率冲击的承受。
我们初期的TDD电路中，上行输入和下行输出公共端使用了射频开关，发现下行开路时，反射回来的功率很快就将开关烧掉，所以要注意保护。在此问题上，我们吃了不少苦头。
开关的隔离度是非常重要的。
在TDD系统中，大家别忘了另外一个特别重要的指标，就是开关切换响应时间，一定要测试。否则没法用。
插损是必然考虑的，插损越大，损耗的功率越大，开关所能承受的功率就会越小。</DIV>


我们现在要做TDSCDMA的直放站，关于“发现下行开路时，反射回来的功率很快就将开关烧掉”这个问题我们一直没有找到好的办法，不仅烧开关，LNA也会被烧。。能指点一下么？    MSN ：  zthhxiexie@hotmail.com

catiger007

那是因为你开关得隔离度太小了，反射回来得功率太大，可以使用更大隔离度得开关，或者用环形器代替。

QWAVE授权代理供应商，
RF SWITCH 射频开关： GW2159(SPDT), GW2157(SPDT), GW1180(SPDT), GW2179(SPDT), GW2176(SPDT), GW1466(SPDT), GW2151(SP3T), GW2162(DPDT),GW2163(SPDT)
LNB LNA: GW3503,GW3513,GW3512A,GW3512B,GW3514,GW8875A/B

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