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[讨论] MOS开关设计问题

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发表于 2015-3-6 11:06:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
LZ最近做一个项目,USB供电,主电源开关用MOS做,于是上网查资料找到两个芯片,一个是安森美的NCP331,一个是Visha的Si3443DDV,下面是他们的应用图:

NCP331是NMOS,Si3443DDV是PMOS,后续负载约1A电流,这两个电路行不行,哪个好呢?


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发表于 2015-3-9 12:45:41 | 显示全部楼层
都可以 那个便宜哪个好
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 楼主| 发表于 2015-3-11 11:03:24 | 显示全部楼层
xdliuyuxin 发表于 2015-3-9 12:45
都可以 那个便宜哪个好

真理啊
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发表于 2015-3-12 20:40:57 | 显示全部楼层
一个是Mos,一个是load switch(负载开关)。
成本肯定差一截,实现开关功能很容易。但控制逻辑,电平,导通阻抗,耐压值都要考虑。
成本和性能去平衡。

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