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代理Fairchild fga30n65smd fga30n65 650V 30A IGBT单管

飞兆半导体fga30n65smd IGBT单管使用新IGBT技术，第二代IGBT场停止技术提供最佳的性能。广范适用于太阳能逆变器，UPS，焊机应用。

仙童fga30n65 FGA30N65SMD管参数说明：
Symbol
Description
fga30n65
FGA30N65SMD
Unit
VCES
Collector to Emitter Voltage
650
V
VGES
Gate
to Emitter
Voltage
± 20
Ic
Collector Current              @ TC = 25oC
60
A
Collector Current               @ TC = 100oC
30
ICM
Pulsed Collector Current        
90
IF
Diode Forward Current         @ TC = 25oC
40
Diode Forward Current         @ TC = 100oC
20
IFM
Pulsed Diode Maximum Forward Current   
120
PD
Maximum  Power  Dissipation     @ TC = 25oC
300
W
Maximum  Power  Dissipation    @ TC = 100oC
150
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +175
℃
Tstg
Storage Temperature Range
-55 to +175
TL
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8!± from case for 5 second
300

fga30n65 FGA30N65SMD特性：
·最高结温度：Tj= 175 ℃
·正温度系数
·高电流
·低饱和电压VCE（SAT）= 1.98 V@ IC = 30A
·高输入阻抗
·快速切换
·符合RoHS
·fga30n65封装：fga30n65smd TO-3P

应用：
·太阳能逆变器
·UPS电源
·焊机

仙童 fga30n65 FGA30N65SMD IGBT管封装外形图：


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