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[讨论] K类音频功放输出的滤波下地电容与D类功放的输出滤波下地电容不同?

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发表于 2014-7-26 14:00:31 | 显示全部楼层 |阅读模式



此电容的作用不是滤出GSM的干扰吗,怎么还不同的?应该统一33PF下地电容就OK了。

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 楼主| 发表于 2014-7-26 14:01:54 | 显示全部楼层
上面图D类功放,下面图是K类功放。
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发表于 2014-7-26 20:18:30 | 显示全部楼层
这个和功放没有关系,这是两个不同人画的电路吧,他们对滤波的调试经验不一样吧,有人用1nF有人用33pF,我是两个都预留加上去,方便调试用。而且原理图里用的和BOM实际贴片可能不一样,要以BOM为准。
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发表于 2014-8-1 14:59:56 | 显示全部楼层
D类输出滤波bypass capacity也应该是1000pF。第一个参考电路取值不对。

33pF不足以过滤PWM调制的noise。如果是要过滤tdd noise, 在靠近speaker的pad点附近加两个33pF,但实际上这附近的两只varistor其实寄生电容就有18-27pF(你可以取等效寄生电容27pF的varistor以获得更佳的抑制tdd作用)。所以,可以删除33pF,换成1000p
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发表于 2014-12-10 13:45:21 | 显示全部楼层
33pf效果是不太好  1000p的不错  但提供的参考设计里面用的33pf,好多人就懒的图改了
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发表于 2015-10-29 17:30:00 | 显示全部楼层
AB类33pF.

D类,K(所谓)类取1000pF

D类这个去耦滤波,在TI的datasheet上有说明.
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发表于 2016-1-14 16:11:52 | 显示全部楼层
FGDJFYHGJNDXBNGT
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发表于 2016-2-16 17:48:31 | 显示全部楼层
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发表于 2016-4-15 15:43:18 | 显示全部楼层

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