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[讨论] 多核芯片对电感的要求

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发表于 2014-2-17 10:05:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
目前手机均朝多核方向发展,那么对于芯片周边用于供电的电感是否会提出更高的要求,具体是哪方面的特性要求?
感值?耐电流?还是DCR?
欢迎大家讨论一下。

发表于 2014-2-17 12:12:05 | 显示全部楼层
多核和电感选型并没有直接的关系。
处理器的发展趋势是:
1. 集成度更高,封装更小; 但是电源模块的制程工艺,远跟不上的CMOS元件的集成度,所以需要外部芯片供电,目的是降低成本,减小封装。
2. 速度更高, 前几年提高速度的方法,无非是提高锁相环的频率输出,增加处理器线程,但是任务还是分时复用总线的,多核就做到了 真正的并行处理。速度高,导致CMOS的电平就越低,对系统信号的信噪比要求就越高,所以电源必须稳定。 即就是 DCR无穷小,AC&DC电流无穷大。电感飘逸忽略。
3. 低功耗; 低功耗主要从两个方面,一个是如何提高效率,一个是待机状态下,耗流更低;
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发表于 2014-2-17 13:54:18 | 显示全部楼层
感谢分享  要是再多写点就更好啦
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