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发表于 2013-11-14 17:02:25
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主要代理MRAM(非易失性存储器),可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM,EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有:
串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP
并口(*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA
MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
并口(*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA
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